[发明专利]半导体游离研磨装置和半导体研磨方法

权利要求书

1.一种半导体游离研磨装置，其特征在于，包括：

研磨盘(10)，其上端面设有多个直径不同的环状凹槽(11)，每个所述环状凹槽(11)均对应连接有至少一条排液通道(12)，所述排液通道(12)的一端与所述环状凹槽(11)连通，另一端从所述研磨盘(10)内延伸至所述研磨盘(10)的侧壁并与外界连通；所述环状凹槽(11)远离所述研磨盘(10)中心的一侧设有斜面(13)；

流量控制结构，用于打开和关闭所述排液通道(12)。

2.根据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述排液通道(12)包括进液端和出液端；所述进液端与所述环状凹槽(11)连通，所述出液端与外界连通，所述进液端的高度高于所述出液端的高度。

3.据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述流量控制结构包括封闭环(20)，所述封闭环(20)套设在所述研磨盘(10)的周向外壁上，其能够沿着所述研磨盘(10)的轴线方向移动，以打开和关闭所述排液通道(12)。

4.根据权利要求3所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述封闭环(20)的内环面上设置有外螺纹，所述研磨盘(10)的周向侧壁上设置有与所述外螺纹适配的内螺纹；所述封闭环(20)与所述研磨盘(10)螺纹连接。

5.根据权利要求3所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述封闭环(20)的内环面设置有滑块，所述研磨盘(10)的周向侧壁上设置有与所述滑块对应且适配的滑槽，所述封闭环(20)与所述研磨盘(10)滑动连接。

6.根据权利要求5所述半导体游离研磨装置，其特征在于，所述半导体游离研磨装置还包括驱动机构，所述驱动机构包括液压缸，所述液压缸包括活塞杆和缸体，所述活塞杆的一端设置在所述缸体内，另一端与所述封闭环(20)连接，用以驱动所述封闭环(20)沿所述研磨盘(10)的轴线方向运动。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述流量控制结构包括：

凹槽(41)，设置在所述排液通道(12)的侧壁上，其开口背向所述研磨盘(10)的中心并朝向所述排液通道(12)并与所述排液通道(12)之间形成一定的夹角；

截流块(42)，在所述研磨盘(10)处于禁止状态时，所述截流块(42)位于所述凹槽(41)内，在所述截流块(42)离开所述凹槽(41)并进入所述排液通道(12)时，其能够限制所述排液通道(12)的流量；

弹簧(43)，其一端与所述凹槽(41)的底部固定连接，另一端与所述截流块(42)固定连接，所述弹簧(43)具有将所述截流块(42)拉回到所述凹槽(41)内的趋势。

8.根据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述半导体游离研磨装置还包括设置在所述研磨盘(10)上方的加液管，所述加液管用于为所述研磨盘(10)提供研磨液；在所述加液管的长度方向上间隔设置有多个供液孔，每个所述环状凹槽(11)至少对应一个所述供液孔。

9.一种半导体研磨方法，其特征在于，包括权利要求1-8中任意一项所述的半导体游离研磨装置；所述半导体研磨方法包括以下步骤：

S1，关闭所述排液通道(12)；

S2，向所述环状凹槽(11)内添加研磨液；

S3，驱动所述研磨盘(10)旋转并持续向所述环状凹槽(11)内添加研磨液；基于所述研磨盘(10)产生的离心力，通过所述斜面(13)引导所述环状凹槽(11)内的研磨液逐渐流向所述研磨盘(10)的上表面。

10.根据权利要求1所述的半导体研磨方法，其特征在于，在步骤S2中，在研磨盘(10)的转速达到设定阀值时，向所述环状凹槽(11)内添加研磨液。