[发明专利]四氧化三钴颗粒的制备方法及煅烧设备

权利要求书

1.一种四氧化三钴颗粒的制备方法，包括煅烧碳酸钴颗粒以得到四氧化三钴的煅烧处理，所述煅烧处理包括：

低温煅烧工序，其中将碳酸钴颗粒升温至第一温度以对颗粒进行煅烧；

降温促晶化工序，其中将经过所述低温煅烧工序的颗粒在低于所述第一温度的第二温度下保持预定时间；以及

高温煅烧工序，其中在高于所述第一温度的温度下对经过所述降温促晶化工序的颗粒继续进行煅烧。

2.根据权利要求1所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述第一温度在200℃～400℃范围内。

3.根据权利要求1所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述预定时间在20分钟到40分钟范围内。

4.如权利要求1或2所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述第二温度在80℃～250℃范围内。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述低温煅烧工序中控制所述第一温度和煅烧时间，使得经过所述低温煅烧工序的颗粒中表面的碳酸钴转化为四氧化三钴。

6.根据权利要求5所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述碳酸钴颗粒具有在4.0μm～6.5μm范围内的D50粒径，并且经过所述低温煅烧工序的颗粒中碳酸钴向四氧化三钴的转化率在19％～34％范围内以及/或者钴质量百分比含量在50％～54％范围内。

7.根据权利要求1所述的四氧化三钴颗粒的制备方法，其中，所述降温促晶化工序中控制所述第二温度和所述预定时间，使得经过所述降温促晶化工序的颗粒的表面晶化。

8.一种煅烧设备，包括：

主体，所述主体包括进料口、出料口以及在所述进料口和所述出料口之间依次设置的低温煅烧段、降温段和高温煅烧段；和

传输装置，其设置在所述主体内，用于将煅烧的材料从所述进料口依次经过所述低温煅烧段、所述降温段和所述高温煅烧段输送到所述出料口，

其中，所述降温段没有设置加热装置和/或能在所述降温段中间不进行加热。

9.根据权利要求8所述的煅烧设备，其中，所述降温段没有设置保温结构。

10.根据权利要求8所述的煅烧设备，其中，所述降温段设置有冷却装置。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的煅烧设备，其中，所述煅烧设备为回转窑。