[发明专利]一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：包括第一表层、芯层和第二表层；

按质量百分比含量所述第一表层中：MXD6为10～20％、PA6为76～88％和配套助剂为2～4％；

按质量百分比含量所述第二表层中：MXD6为10～15％、PA6为81～88％和配套助剂为2～4％。

2.根据权利要求1所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述配套助剂选自开口剂、抗静电剂、爽滑剂、防结块剂、热稳定剂、抗氧化剂、耐光剂、耐冲击性改良剂中的一种或任意几种的组合。

3.根据权利要求2所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述开口剂为气相法二氧化硅、沉淀法二氧化硅中的一种或两种的组合；所述爽滑剂为聚硅氧烷、改性聚硅氧烷中的一种或两种的混合物。

4.根据权利要求1所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述第一表层厚度为3～5μm，所述芯层厚度为5～9μm，所述第二表层厚度为3～5μm。

5.根据权利要求4所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：所述第一表层、所述芯层和所述第二表层的厚度均为5μm。

6.根据权利要求1所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜，其特征在于：按质量百分比含量所述芯层中：MXD6为100％。

7.一种如权利要求1～6所述低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将含有质量百分比含量为10～20％的MXD6、质量百分比含量为76～88％的PA6和质量百分比含量为2～4％的配套助剂通过熔融挤出获得第一表层熔体；

S2.将含有质量百分比含量为100％的MXD6通过熔融挤出获得芯层熔体；

S3.将含有质量百分比含量为10～15％的MXD6、质量百分比含量为81～88％的PA6和质量百分比含量为2～4％的配套助剂通过熔融挤出获得第二表层熔体；

S4.对第一表层熔体、芯层熔体和第二表层熔体通过共挤模头进行共挤出，并流延至激冷辊获得铸片；

S5.对获得的铸片进行纵向拉伸和横向拉伸形成由第一表层、芯层和第二表层构成的三层结构的低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜。

8.根据权利要求7所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述S4中对所述第一表层熔体、所述芯层熔体和所述第二表层熔体进行共挤出时的加工温度为260～265℃。

9.根据权利要求7所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述S5在纵向拉伸时采用的是两点拉伸，拉伸倍率为2～4倍，拉伸时的温度为70～80℃，在横向拉伸时的温度为110～120℃。

10.根据权利要求7所述的一种低收缩率双向拉伸聚酰胺薄膜的制备方法，其特征在于：还包括通过收卷设备对构成的三层结构薄膜进行收卷，在所述收卷设备进行收卷时对所述第一表层和所述第二表层中的至少一者进行电晕处理。