[发明专利]一种基于双频无线供电的频率信号产生电路和方法在审
申请号: | 202110526491.3 | 申请日: | 2021-05-14 |
公开(公告)号: | CN113114113A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 常子怡;赵博 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H03B28/00 | 分类号: | H03B28/00 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 孙孟辉 |
地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 双频 无线 供电 频率 信号 产生 电路 方法 | ||
1.一种基于双频无线供电的频率信号产生电路,其特征在于,包括:发射端、互感天线、谐振网络、整流器、滤波器、振荡器,所述发射端包括射频信号源f1和f2、功率放大器PA1和PA2、功率合成器P,所述互感天线包括:发射天线T1和接收天线T2,所述发射端产生两个不同频率的射频信号,所述接收天线T2接收射频信号,输出端连接至谐振网络,所述谐振网络与接收天线T2谐振,谐振网络输出端连接至整流器,所述整流器的输出端连接滤波器的输入端,所述滤波器抑制整流器输出中的无关频率信号,将所需频率信号放大并作为参考信号输入到振荡器;
所述发射器用于发射两个不同频率的射频信号,所述接收天线T2和谐振网络用于接收发射天线T1发射的两个不同频率的射频信号,将射频信号输入至整流器,所述谐振网络用于实现射频信号的最大增益传输,所述整流器用于将接收到的射频信号整流为直流电压,并将信号降噪后输入至滤波器,所述滤波器用于将输入的信号进行滤波和放大处理,通过调整滤波器的通带范围,抑制无关频率信号,得到所需的频率信号,输入到所述振荡器,用于振荡器的参考信号。
2.如权利要求1所述的一种基于双频无线供电的频率信号产生电路,其特征在于,所述发射端包括:第一射频信号源f1、第二射频信号源f2、第一功率放大器PA1、第二功率放大器PA2和功率合成器P,所述第一射频信号源f1、第二射频信号源f2分别输入第一功率放大器PA1和第二功率放大器PA2,所述第一功率放大器PA1和第二功率放大器PA2的输出端均连接至功率合成器P的输入端,功率合成器P的输出端连接至发射天线T1,所述接收天线T2和发射天线T1通过电感耦合,所述谐振网络包括谐振电容C1,谐振电容C1与接收天线T2在通信频率上谐振。
3.如权利要求1所述的一种基于双频无线供电的频率信号产生电路,其特征在于,所述整流器由若干整流电路和去耦电容C2组成,所述整流电路包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容和第二电容组成,所述第一NMOS管的栅极连接第一PMOS管的栅极,所述第二NMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极,第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极连接后接地,所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极连接后接下一组整流电路,所述第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接的公共节点连接至第二NMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接的公共节点,所述第一NMOS管的栅极与第一PMOS管栅极连接的公共节点连接至第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接的公共节点,所述第一电容的一端连接至第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极连接的公共节点,第一电容另一端连接至谐振电容C1的一端,所述第二电容的一端连接至第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极连接的公共节点,第二电容另一端连接至谐振电容C1的另一端,所述去耦电容C2的一端连接整流器的输出端,另一端接地。
4.如权利要求1所述的一种基于双频无线供电的频率信号产生电路,其特征在于,所述滤波器包括带通滤波器、电阻反馈放大器、反相器、脉冲产生器,所述带通滤波器的中心频率为二阶交调信号频率,抑制其他谐波信号,得到二阶交调信号,所述带通滤波器的输出连接至电阻反馈放大器,放大二阶交调信号的摆幅,然后通过反相器,得到方波信号,所述方波信号输入到脉冲产生器,产生脉冲信号,该脉冲信号作为参考信号输入到振荡器,使振荡器跟随参考信号的频率,产生所需的频率信号。
5.一种基于双频无线供电的频率信号产生方法,其特征在于,具体为:接收天线T2接收发射天线T1发射的两个不同频率的射频信号,后将射频信号输入至整流器,整流器将所述射频信号整流为直流电压,由于整流器的非线性,输出的直流电压中包含不同阶次的谐波信号,所述谐波信号通过去耦电容C2降噪后,输入到所述滤波器,通过调整滤波器的通带范围,抑制无关频率信号,得到所需的频率信号,同时放大信号摆幅,输入到所述振荡器,用于振荡器的参考信号。
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