[发明专利]一种碲基室温太赫兹探测器件

权利要求书

1.一种碲基室温太赫兹探测器件，其特征在于：

所述的器件采用高阻硅衬底(1)，衬底上有一层自然氧化的二氧化硅层(2)，将碲纳米片(3)转移到二氧化硅层(2)上，然后在碲纳米片上制备左右对称的蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)；

所述的高阻硅衬底(1)厚度为0.5mm，电阻率10000Ω·cm；

所述的自然氧化的二氧化硅(2)厚度25nm；

所述的碲纳米片(3)是用化学气相沉积法制备的单晶材料，纳米片厚度为300-500nm，宽度为5-10μm，长度为10-30微米；

所述的蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)都采用30nm厚的钛和300nm厚的金，先溅射钛再溅射金，由钛和金正负电极层覆盖在碲纳米片(3)形成的台阶的表面和边缘，形成金属-半导体-金属结构，并在接触处形成欧姆接触，其中大部分的电极层都生长在台阶两侧的表面上；蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)围绕器件两边分别呈和形状镜像对称分布；所述的蝶形正电极层(4)和蝶形负电极层(5)的上端面形成左右对称的蝶形天线，具体尺寸为：电极宽度w为500μm，两端总长度l为4000μm，电极间距a即敏感元长度为5-10μm，与敏感元接触处的电极宽度即敏感元宽度b为5-10μm。