[发明专利]一种离子阱系统在审
| 申请号: | 202110524291.4 | 申请日: | 2021-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN113345617A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
| 发明(设计)人: | 段路明;周子超;何丽 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G21K1/00 | 分类号: | G21K1/00 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李丹;栗若木 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 离子 系统 | ||
1.一种离子阱系统,包括:离子阱、设置有第一光学窗口的真空腔体;其中,真空腔体上还设置有一对对称分布的第二光学窗口,第二光学窗口的中心与第一光学窗口的中心位于同一平面;
其中,所述第一光学窗口为执行第一操作提供光学通路;所述第二光学窗口为执行第二操作提供光学通路;所述第二光学窗口大于所述第一光学窗口。
2.根据权利要求1所述的离子阱系统,其特征在于,所述第一操作包括以下一项或任意组合的操作:离子激光冷却、初态制备、拉曼操控和荧光探测。
3.根据权利要求1所述的离子阱系统,其特征在于,所述第二操作包括以下一项或任意组合的操作:荧光收集、相干操控和独立选址。
4.根据权利要求1所述的离子阱系统,其特征在于,所述第二光学窗口对于所述真空腔体中心的数值孔径大于第一预设阈值;
其中,所述第一预设阈值根据所述第二操作确定。
5.根据权利要求1所述的离子阱系统,其特征在于,所述真空腔体上沿与所述平面垂直的方向上还设置有第三光学窗口,用于入射执行第三操作的脉冲激光;
其中,所述第三操作包括激光烧蚀。
6.根据权利要求5所述的离子阱系统,其特征在于,所述第三光学窗口对于所述真空腔体中心的数值孔径为预设数值;
其中,所述预设数值根据所述第三操作确定。
7.根据权利要求1~6任一项所述的离子阱系统,其特征在于,所述离子阱产生的囚禁势的振动模式主轴在所述平面上存在非零的分量。
8.根据权利要求7所述的离子阱系统,其特征在于,所述离子阱的中心与所述真空腔体的中心重合。
9.根据权利要求1~6任一项所述的离子阱系统,其特征在于,所述离子阱包括以下任意一种:
分立式刀片阱、单片式一体化离子阱和三维多层式离子阱。
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