[发明专利]一种全无机钙钛矿太阳能电池的缺陷消除方法在审
申请号: | 202110523842.5 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN113284980A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 项天星;彭勇;刘胜康 | 申请(专利权)人: | 中山艾尚智同信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中山市粤捷信知识产权代理事务所(普通合伙) 44583 | 代理人: | 张谦 |
地址: | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 太阳能电池 缺陷 消除 方法 | ||
1.一种全无机钙钛矿太阳能电池的缺陷消除方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用化学浴沉积在导电玻璃基底上制备电子传输层;
(2)采用分步蒸镀法制备钙钛矿吸光层,然后在马弗炉内进行热处理;
(3)将顶电极印刷到步骤(2)所得的钙钛矿吸光层上。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于步骤1所述的玻璃导电基底为掺氟氧化锡玻璃、掺锑氧化锡玻璃、掺锡氧化铟玻璃或掺钨氧化铟玻璃中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,步骤(1)所述的电子传输层为TiO2。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,步骤(2)所述钙钛矿吸光层为热蒸镀无机钙钛矿。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,步骤(2)所述的热处理过程为两步热处理。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,步骤(3)所述的顶电极为碳电极。
7.根据权利要求5所述的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述两步热处理包括:待步骤(2)的导电玻璃冷却至室温,进行紫外臭氧处理,随后取适量溴化铯和溴化铅到各自的蒸发舟内,待蒸镀仪抽好真空后,先后蒸镀230nm的溴化铯与330nm的溴化铅到基底,随后置于马弗炉内进行热处理,程序为从室温以15℃/min的速率升到320℃并保温20min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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