[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括：从下至上依次层叠的衬底、本征AlGaN层、n型AlGaN层、n掺杂AlGaN/AlN超晶格层、量子阱区、超晶格SL区、p型AlGaN层和p++型BAlGaN层；

所述量子阱区和所述超晶格SL区分别设置有n层，n≥3，且所述量子阱区和超晶格SL区交替层叠设置；

所述超晶格SL区包括超晶格SL区-1、超晶格SL区-2、超晶格SL区-3和超晶格SL区-n；

所述超晶格SL区-1包括4-6个周期的超晶格SL区-a；所述超晶格SL区-a包括Al_yGa_1-yN层和位于其上方的AlInGaN层，xy1；所述Al_yGa_1-yN层的厚度为2-3nm；所述AlInGaN层的厚度为2-3nm；

所述超晶格SL区-2包括4-6个周期的超晶格SL区-b；所述超晶格SL区-b包括BAlGaN层和位于其上方的AlGaN层；所述BAlGaN层的厚度为2-3nm；所述AlGaN层的厚度为2-3nm；

所述超晶格SL区-3包括4-6个周期的超晶格SL区-c；所述超晶格SL区-c包括BInAlGaN层和位于其上方的AlInGaN层；所述BInAlGaN层的厚度为2-3nm；所述AlInGaN层的厚度为2-3nm；

所述超晶格SL区-n包括4-6个周期的超晶格SL区-d；所述超晶格SL区-d包括AlGaN层和位于其上方的AlInGaN层；所述AlGaN层的厚度为2-3nm；所述AlInGaN层的厚度为2-3nm。

2.根据权利要求1所述的一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或硅衬底。

3.根据权利要求1所述的一种紫外LED外延结构，其特征在于，还包括：AlN层，且所述AlN层设置于所述衬底层和本征AlGaN层之间；

所述AlN层包括低温AlN层和高温AlN层；所述高温AlN层位于所述低温AlN层上方；所述低温AlN层的厚度为10nm；所述高温AlN层的厚度为200nm。

4.根据权利要求3所述的一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述本征AlGaN层厚度为100nm；所述n型AlGaN层厚度为100-300nm。

5.根据权利要求3所述的一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述n掺杂AlGaN/AlN超晶格层中所述AlGaN厚度为2-5nm，所述AlN厚度为2nm。