[发明专利]一种自动控制单晶硅电阻率的方法在审
| 申请号： | 202110522362.7 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN115341266A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘有益;杨志;程立波;钟旭;沈浩平;王彦君;王林;李建军 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自动控制 单晶硅 电阻率 方法 | ||
1.一种自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：在直拉单晶过程中进行气体掺杂，包括：
设定气体掺杂开启节点及气体流量；
进行单晶拉制，并判断单晶拉制的颗次；
在拉制每颗次单晶过程中，判断单晶拉制进程，若满足设定的气体掺杂开启节点条件，控制气体输入单晶炉内，进行掺杂，同时，根据单晶电阻率的变化控制气体的流量变化，控制单晶轴向电阻率；
否则，不向单晶炉内输入气体。
2.根据权利要求1所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述判断单晶拉制的颗次中，根据单晶取段收尾和复投次数进行单晶拉制颗次的判定。
3.根据权利要求1或2所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：在拉制每一颗次单晶过程中，所述气体掺杂开启节点为单晶拉制进入扩肩阶段或等径阶段。
4.根据权利要求1所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：在拉制每一颗次单晶过程中，所述气体流量为0-1L/min。
5.根据权利要求1所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述根据单晶电阻率的变化控制气体的流量变化包括：
随着单晶的电阻率的减少，气体的流量逐渐增加，单晶的电阻率每减少一个电阻率变化量，气体的流量增加一个流量变化量，以控制单晶轴向电阻率的衰减。
6.根据权利要求1所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述电阻率变化量为0-1Ω·cm/m，气体的所述流量变化量为0-1L/min。
7.根据权利要求1-2和4-6任一项所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述气体的浓度为1000-10000ppm。
8.根据权利要求1-2和4-6任一项所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述气体为磷化氢和氩气的混合气体。
9.根据权利要求1-2和4-6任一项所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述气体由氩气和第一气体按照一定流量比进行混合，所述氩气与所述第一气体的流量之比为2:1-10:1。
10.根据权利要求9所述的自动控制单晶硅电阻率的方法，其特征在于：所述第一气体为氩气和磷化氢的混合气体。
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