[发明专利]一种宽入射角度的电磁吸收结构

权利要求书

1.一种宽入射角度的电磁吸收结构，其特征在于包括从上到下层叠的ITO图案层、基板、介质损耗层以及良导体层，所述的基板、所述的介质损耗层以及所述的良导体层分别为矩形板，且所述的基板、所述的介质损耗层以及所述的良导体层从上到下完全重合；所述的ITO图案层由第一ITO结构和第二ITO结构组成，所述的第一ITO结构和所述的第二ITO结构均附着在所述的基板的上表面，所述的第一ITO结构包括第一矩形ITO、第二矩形ITO、第三矩形ITO、第四矩形ITO、第五矩形ITO、第六矩形ITO、第七矩形ITO、第八矩形ITO、第九矩形ITO、第十矩形ITO、第十一矩形ITO、第十二矩形ITO、第十三矩形ITO、第十四矩形ITO和工字型ITO，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO、所述的第八矩形ITO和所述的工字型ITO按照从右到左的顺序依次平行间隔排列，所述的第一矩形ITO的右端面所在平面平行于所述的基板的右端面所在平面，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO和所述的第八矩形ITO沿前后方向的长度逐个增大，所述的第一矩形ITO、所述的第二矩形ITO、所述的第三矩形ITO、所述的第四矩形ITO、所述的第五矩形ITO、所述的第六矩形ITO、所述的第七矩形ITO和所述的第八矩形ITO沿左右方向的长度也逐个增大，所述的工字型ITO沿前后方向的长度大于所述的第八矩形ITO沿前后方向的长度，所述的第九矩形ITO、所述的第十矩形ITO和所述的第十一矩形ITO位于所述的工字型ITO的左侧，所述的第九矩形ITO的前端面所在平面位于所述的工字型ITO的前端面所在平面的前侧，且两者平行，所述的第十矩形ITO位于所述的第九矩形ITO的后侧，所述的第九矩形ITO的后端面与所述的第十矩形ITO的前端面的中部连接，所述的第十一矩形ITO位于所述的第十矩形ITO的后侧，所述的第十矩形ITO的后端面与所述的第十一矩形ITO的前端面连接，所述的第十一矩形ITO的右端面与所述的第十矩形ITO的右端面齐平，所述的第十矩形ITO沿左右方向的长度大于所述的第十一矩形ITO沿左右方向长度的两倍，所述的第十二矩形ITO的后端面所在平面位于所述的工字型ITO的后端面所在平面的后侧，且两者平行，所述的第十三矩形ITO位于所述的第十二矩形ITO的前侧，所述的第十二矩形ITO的前端面与所述的第十三矩形ITO的后端面的中部连接，所述的第十四矩形ITO位于所述的第十三矩形ITO的前侧，所述的第十三矩形ITO的前端面与所述的第十四矩形ITO的后端面连接，所述的第十四矩形ITO的左端面与所述的第十三矩形ITO的左端面齐平，所述的第十四矩形ITO的右端面与所述的第十一矩形ITO的左端面之间具有一段距离，所述的第十四矩形ITO的前端面与所述的第十矩形ITO的后端面之间具有一段距离，所述的第十三矩形ITO的前端面与所述的第十一矩形ITO的后端面之间具有一段距离，所述的第二ITO结构位于所述的第一ITO结构的左侧，且两者为左右对称结构。