[发明专利]具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有复合过渡层的发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底与依次层叠在所述衬底上的GaN缓冲层、n型GaN层、复合过渡层、多量子阱层与p型GaN层，

所述复合过渡层包括依次层叠的SiO₂子层与AlGaN子层，所述SiO₂子层在所述衬底的表面的正投影呈网状，所述SiO₂子层在所述衬底的表面的正投影所对应的网孔的面积为6-35um，所述AlGaN子层中Al的摩尔掺杂量为1％-6％。

2.根据权利要求1所述的具有复合过渡层的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiO₂子层的厚度为15～100nm。

3.根据权利要求1所述的具有复合过渡层的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiO₂子层包括多个相互平行的第一条状部分与多个相互平行的第二条状部分，每个所述第一条状部分均与多个所述第二条状部分相交，所述第一条状部分的宽度与所述第二条状部分的宽度相等。

4.根据权利要求1～3任一项所述的具有复合过渡层的发光二极管外延片，其特征在于，所述AlGaN子层的厚度为5-80nm。

5.一种具有复合过渡层的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长GaN缓冲层；

在所述GaN缓冲层上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长复合过渡层，所述复合过渡层包括依次层叠的SiO₂子层与AlGaN子层，所述SiO₂子层在所述衬底的表面的正投影呈网状，所述SiO₂子层在所述衬底的表面的正投影所对应的网孔的面积为6-35um，所述AlGaN子层中Al的摩尔掺杂量为1％-6％；

在所述复合过渡层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

所述GaN缓冲层与所述n型GaN层采用氢化物气相外延设备进行生长；

所述AlGaN子层、所述多量子阱层与所述p型GaN层采用化学气相沉积设备进行生长。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN子层在氮气与氨气的气氛环境下生长，所述AlGaN子层生长时的氨气的体积为反应腔内气体的总体积的20％-40％。

8.根据权利要求5～7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述多量子阱层包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层，

所述AlGaN子层生长时的氨气的体积，为所述InGaN阱层生长时的氨气的体积的50％～80％。