[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，其包括：

形成一金属接触物在一基板上方；

形成一第一蚀刻停止层在该金属接触物上；

形成一第一介电质在该第一蚀刻停止层上方；

形成一第一开口在该第一介电质中；

执行一湿式蚀刻于该第一开口的一底表面上并穿过该第一蚀刻停止层，其中该湿式蚀刻形成一第一凹部在该金属接触物的顶表面中，其中该第一凹部具有一上部宽度，该上部宽度是在与该第一蚀刻停止层的顶表面齐平的平面上测量，其中该第一凹部具有一下部宽度，该下部宽度是在与该第一蚀刻停止层的底表面齐平的平面上测量，且其中，该上部宽度小于该下部宽度；以及

形成一第一导电部件在该第一凹部及该第一开口中。

2.如权利要求1所述的形成方法，其中，该第一凹部具有小于大约10nm的深度。

3.如权利要求1所述的形成方法，其中，该第一凹部具有小于大约10nm的高度的侧壁。

4.如权利要求1所述的形成方法，其中，该第一凹部具有凹入的一底表面。

5.如权利要求4所述的形成方法，其中，该第一凹部的该底表面接触该第一蚀刻停止层的底表面。

6.如权利要求1所述的形成方法，其中，执行该湿式蚀刻并穿过该第一蚀刻停止层形成一角度，该角度在大约0度至大约45度的范围内，且该角度介于齐平于该第一蚀刻停止层的底表面的表面与该第一凹部的顶表面之间。

7.如权利要求1所述的形成方法，其进一步包括：

形成一第二蚀刻停止层及一第二介电质在该第一介电质及该第一导电部件上方；

形成穿过该第二介电质的一第二开口，且该第二开口直接在该第一导电部件上方；以及

执行一湿式蚀刻以穿过在该第一导电部件上方的该第二蚀刻停止层，其中该湿式蚀刻形成一第二凹部在该第一导电部件的顶表面中。

8.一种半导体装置的形成方法，其包括：

形成一接触蚀刻停止层在一第一导电部件上方；

形成一层间介电质在该接触蚀刻停止层上方；

形成穿过该层间介电质至该接触蚀刻停止层的顶表面的一开口；

执行一湿式贯穿在该接触蚀刻停止层上，其中该湿式贯穿包括一湿式蚀刻制程，其中该湿式贯穿形成一凹部在该第一导电部件的顶表面中，其中该凹部包括在大约0度至大约45度的范围内的一角度，且该角度介于齐平于该接触蚀刻停止层的底表面的表面与该凹部的顶表面之间；

沉积一导电材料在该凹部及该开口中；以及

使在该开口之上的该导电材料的一部分平坦化，该导电材料的剩余部分形成一第二导电部件。

9.如权利要求8所述的形成方法，其中，该湿式蚀刻制程包括去离子水、混合有CO₂的去离子水、混合有O₃的去离子水、混合有H₂O₂的去离子水、NH₄OH溶液或氨水-过氧化氢-水混合物。

10.一种半导体装置，其包括：

一金属接触物，在一基板上方；

一第一蚀刻停止层，在该金属接触物上方；以及

一金属插塞，其包括：

一第一部分，在该金属接触物的顶表面之下，其中该第一部分的底表面为凸出的；

一第二部分，设置在介于一第一表面与一第二表面之间，该第一表面齐平于该第一蚀刻停止层的顶表面，且该第二表面齐平于该第一蚀刻停止层的底表面，该第二部分的侧壁与该第二表面形成一角度，该角度在大约10度至大约45度的范围内；以及

一第三部分，设置在该第一表面之上。