[发明专利]一种全α相钽涂层的制备方法

权利要求书

1.一种全α相钽涂层的制备方法，其特征在于：以钽作为溅射靶材，基体材料加热后，在气流量为100~200sccm/min的氩气形成的0.6~0.95MPa工作压力下，所述，用霍尔电源对基体材料表面进行轰击，然后调节基体材料正对靶材，加入直流溅射电流14~25A，待靶材起弧稳定后，在基体表面加入直流偏压40~80V，偏电流为60~90A。

2.如权利要求1所述的一种全α相钽涂层的制备方法，其特征在于：所述霍尔电源电流为2~6A，时间为10~20min。

3.如权利要求1所述的一种全α相钽涂层的制备方法，其特征在于：所述钽靶材与基体材料的间距为20~105mm。

4.如权利要求1所述的一种全α相钽涂层的制备方法，其特征在于：所述基体材料加热至50~200℃，保温时间不低于30min。

5.一种全α相钽涂层的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

步骤一：采用喷60目细砂或800目以上砂纸打磨处理基体材料，并用酒精清洗；

步骤二：将基体材料固定，与靶材保持20~105mm，抽真空至真空度不高于3×10^-3pa；

步骤三：将真空室温度升至50~200℃，保温30min以上，同时以120~200sccm/min的流速通入氩气，调节气体压强为0.7~0.8Pa；

步骤四：调整基体材料正对霍尔电源，开启霍尔电流为2~6A，保持10~20min，然后调节基体材料正对靶材，在靶材上加入溅射直流电流14~25A，在基体材料上加入直流偏压40~80V，偏电流为60~90A；

步骤五：沉积完成后，关闭偏压、偏电流、溅射直流电流和氩气，开启冷却水系统，待真空室温度降至80℃以下后，关闭真空系统和冷却水系统，冷却至室温后取件。