[发明专利]溅射内镀黑腔及其制备方法有效
申请号: | 202110517710.1 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113249694B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 刘艳松;易泰民;何智兵;李国;杨洪;谢军;漆小波;梁榉曦;谢春平 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/04;C23C14/02;C23C14/58 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 罗明理 |
地址: | 621900 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 内镀黑腔 及其 制备 方法 | ||
1.一种溅射内镀黑腔,包括套筒(1)和设置在套筒(1)内壁上的镀层(2),其特征是:所述镀层(2)采用溅射方式将金属沉积在套筒(1)内壁上,所述套筒(1)内壁设有微孔结构。
2.如权利要求1所述的一种溅射内镀黑腔,其特征是:所述套筒(1)的内部空腔为圆柱形、多节圆柱形、球柱形、椭球柱形或上述形状组合形成的腔形结构。
3.如权利要求1所述的一种溅射内镀黑腔,其特征是:所述套筒(1)材质为Cu、Al或二者的合金材料,所述镀层(2)的材料为Au、U、AuB、UN或以上材料的组合层或混合层。
4.一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
A、将套筒依次放入丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,随后用高纯氮气吹干;
B、对套筒上不需要镀层的部位进行掩膜,然后将套筒安放到样品台上,并使样品台中心到溅射靶中心距离为80~150mm,样品台旋转中心法线与溅射靶中心轴线呈30°~45°夹角;
C、对溅射真空室抽真空,然后通入氩气;
D、利用离子束对样品台上的套筒内壁进行刻蚀;
E、利用溅射靶在套筒内壁溅射,形成厚度为50~300nm的预镀层后停止溅射;
F、对套筒进行150℃~300℃的热处理,热处理时间为30~300min;
G、待套筒冷却至20℃~30℃时,再继续溅射,直到镀层达到所需厚度后停止镀膜;
H、将套筒上下翻转,位置不变,继续溅射至所需厚度后停止镀膜,完成整个内镀黑腔的制备。
5.如权利要求4所述的一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是:步骤C中首先使溅射真空室的真空度达到1×10-7Pa~1×10-5Pa,然后通入氩气后使溅射真空室的真空度维持在0.1Pa~0.6Pa。
6.如权利要求4所述的一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是:步骤E中在溅射之前先在溅射靶与套筒之间设置挡板,然后进行5~10min的预溅射,最后再取下挡板,对套筒内壁进行溅射。
7.如权利要求4所述的一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是:步骤G的溅射过程中采用间歇镀膜方式,每个周期溅射20min后停止5~20min,直到达到所需厚度后停止镀膜。
8.如权利要求7所述的一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是:步骤G中采用双靶共溅方式进行镀膜,Au靶与B靶沿样品台旋转中心法线对称设置,其中Au靶为直流溅射,B靶为射频溅射。
9.如权利要求8所述的一种溅射内镀黑腔的制备方法,其特征是:B靶射频溅射采用AuB直流溅射替代。
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