[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置，包括：间隔件衬底，包括：间隔件电介质；间隔件顶部端子，在间隔件衬底的顶侧上；间隔件底部端子，在间隔件衬底的底侧上；及间隔件通孔，在间隔件电介质中且与间隔件顶部端子和间隔件底部端子耦合；第一透镜衬底，在第一间隔件衬底上方，第一透镜衬底包括：第一透镜电介质；第一透镜；第一透镜顶部端子，在第一透镜电介质的顶侧上；第一透镜底部端子，在第一透镜电介质的底侧上；及第一透镜通孔，在第一透镜电介质中且与第一透镜顶部端子和第一透镜底部端子耦合；透镜保护器，在第一透镜电介质上方邻近于第一透镜；及第一互连件，与间隔件顶部端子和第一透镜底部端子耦合。

技术领域

本发明大体上涉及电子装置，且更明确地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。

发明内容

根据本发明的态样，一种半导体装置，其包括：间隔件衬底，其包括，间隔件电介质；间隔件顶部端子，其在所述间隔件衬底的顶侧上；间隔件底部端子，其在所述间隔件衬底的底侧上；以及间隔件通孔，其在所述间隔件电介质中且与所述间隔件顶部端子和所述间隔件底部端子耦合；第一透镜衬底，其在所述第一间隔件衬底上方，所述第一透镜衬底包括，第一透镜电介质；第一透镜；第一透镜顶部端子，其在所述第一透镜电介质的顶侧上；第一透镜底部端子，其在所述第一透镜电介质的底侧上；以及第一透镜通孔，其在所述第一透镜电介质中且与所述第一透镜顶部端子和所述第一透镜底部端子耦合；透镜保护器，其在所述第一透镜电介质上方邻近于所述第一透镜；以及第一互连件，其与所述间隔件顶部端子和所述第一透镜底部端子耦合。在半导体装置中，所述第一透镜和所述第一透镜电介质包括相同材料。在半导体装置中，所述第一透镜和所述第一透镜电介质包括不同材料。半导体装置进一步包括接触所述第一透镜衬底的横向侧和所述间隔件衬底的电介质壁的囊封剂。半导体装置进一步包括：第二透镜衬底，其中所述间隔件衬底在所述第二透镜衬底上方，所述第二透镜衬底包括：第二透镜电介质；第二透镜，其在所述第二透镜电介质上方；第二透镜顶部端子，其在所述第二透镜电介质的顶侧上；第二透镜底部端子，其在所述第二透镜电介质的底侧上；以及第二透镜通孔，其在所述第二透镜电介质中且与所述第二透镜顶部端子和所述第二透镜底部端子耦合；以及第二互连件，其与所述第二透镜顶部端子和所述衬底底部端子耦合。半导体装置进一步包括：基座衬底，其中所述第一透镜衬底在所述基座衬底上方，所述基座衬底包括：电介质结构；导电结构，其在所述电介质结构中；以及电子组件，其在所述电介质结构上方，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合。半导体装置进一步包括：基座囊封剂，其在所述电介质结构上方且接触所述电子组件的横向侧；囊封剂顶部端子，其在所述囊封剂的顶侧上；以及囊封剂通孔，其在所述囊封剂中，与所述囊封剂顶部端子耦合；以及第二互连件，其与所述间隔件底部端子和所述囊封剂顶部端子耦合。半导体装置进一步包括在所述电子组件上方在所述电子组件和所述第一透镜之间的盖子。