[发明专利]一种晶圆曝光方法在审
| 申请号: | 202110514601.4 | 申请日: | 2021-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN113380607A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 姚楚豪;李海亮;谢常青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 曝光 方法 | ||
1.一种晶圆曝光方法,其特征在于,所述方法包括:
在清洁后的目标透明衬底的正面沉积挡光金属;
对所述挡光金属进行刻蚀处理,其中,刻蚀处理后的所述挡光金属形成了目标图案;
在所述目标透明衬底的正面涂覆负性光刻胶,其中,所述负性光刻胶覆盖在刻蚀处理后的所述挡光金属和所述目标透明衬底上;
从所述目标透明衬底的背面对目标负性光刻胶进行曝光,所述目标负性光刻胶包括未被所述挡光金属遮挡的负性光刻胶。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在从所述目标透明衬底的背面对目标负性光刻胶进行曝光之后,所述方法还包括:
去除非目标负性光刻胶,所述非目标负性光刻胶包括被所述挡光金属遮挡的负性光刻胶。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在去除所述非目标负性光刻胶之后,所述方法还包括:
在所述挡光金属上沉积目标金属。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述目标金属包括至少两种金属。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,在所述挡光金属上沉积所述目标金属之后,所述方法还包括:
去除所述目标负性光刻胶。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述挡光金属进行刻蚀处理,具体包括:
通过干法刻蚀或湿法腐蚀,对所述挡光金属进行刻蚀处理。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在清洁后的目标透明衬底的正面沉积挡光金属,具体包括:
通过电子束蒸发或磁控溅射,在清洁后的所述目标透明衬底的正面沉积所述挡光金属。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在清洁后的所述目标透明衬底的正面沉积所述挡光金属之前,所述方法还包括:
将原始透明衬底放入清洗液中进行清洗,再干燥,得到清洁后的透明衬底,将清洁后的透明衬底作为所述目标透明衬底。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述挡光金属包括铬。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标透明衬底包括石英。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





