[发明专利]一种铝及其合金器件的清洁及再生方法有效
| 申请号: | 202110513399.3 | 申请日: | 2021-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN113215583B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 吉本光宇;权秀娟 | 申请(专利权)人: | 爱极宝电子工业设备(广州)有限公司 |
| 主分类号: | C23G1/12 | 分类号: | C23G1/12;C23G1/22;C25F1/04 |
| 代理公司: | 广东捷成专利商标代理事务所(普通合伙) 44770 | 代理人: | 宋安东 |
| 地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 及其 合金 器件 清洁 再生 方法 | ||
本发明涉及铝及其合金器件表面清洁和再生技术领域,具体涉及一种铝及其合金器件的清洁及再生方法,包括步骤:碱洗,酸洗,电解清洗工序。本发明对铝及其合金器件的清洗再生方法可以用于所有铝及其合金器件的清洗和再生,尤其是LCD,OLED及半导体产品制造装置的具有凹槽、通孔等微结构的铝及其合金器件。本发明通过对其他程序的优化,取代了现有技术的喷砂处理,避免了喷砂处理给产品的精细结构(如凹槽和通孔)带来的结构变形和孔径扩大的问题,从而延长产品的使用寿命。而且可以解决对产品预处理后细孔中残留颗粒和粉尘的问题,减少因砂粒和粉尘的返工率;确保产品的清洗再生质量;同时大大缩短了整个清洁修复过程的时间。
技术领域
本发明涉及铝及其合金器件表面清洁和再生技术领域,具体涉及一种用于LCD、OLED及半导体制造装置的铝及其合金器件的清洁及再生方法。
背景技术
喷淋头(Shower Head)(如图1中所示的1)是LCD,OLED及半导体产品等制造生产线上真空处理步骤中的一个重要装置器件,其上设置有不同级别孔径的凹槽和通孔2,加工所需的混合气体3会在喷淋头的凹槽和通孔中停留和穿过。使用一段时间后,喷淋头的表面、凹槽和通孔的内壁上都会产生许多的沉积物,堵塞了凹槽和通孔2,部分沉积物还会侵蚀喷淋头1的铝及其合金表面,最终影响真空处理装置的运转和处理效果。目前的处理方法是定期对喷淋头1进行清洗和修复。
现有的清洗再生工艺主要包括校正,机械打磨,喷砂,强碱清洗1,强碱清洗2,强酸清洗,干燥等主要操作流程。现有的方法存在以下缺点:第一,现有技术的清洗再生工艺从入库到清洁修复完成至出库,总计需要约100~200个小时,清洗再生周期非常漫长,严重影响了生产线的连续性运转和出货量。第二,喷砂处理时,砂粒虽细,但在高速喷出时具有很强的冲击力,在摩擦去掉喷淋头表面1的沉积物时,对其表面的凹槽和通孔2的结构会造成一定程度的破坏,从而使设备的精准度和可控性降低,还缩短了喷淋头1的使用寿命。第三,现有技术的化学清洗操作需要反复进行数次,采用的清洗溶液主要成分是强碱(如NaOH等),强酸(如硝酸等)等化学物质。对喷淋头器件的凹槽和通孔2内壁铝及其合金具有很强的腐蚀作用,也会对表面的凹槽和通孔2的微结构造成一定程度的破坏,扩大了孔径,最终影响设备的精准度和可控性,增加了生产线的次品率,缩短了设备使用寿命,增加了企业更换设备的成本。
发明内容
基于此,本发明的目的在于,提供一种铝及其合金器件的清洁再生方法。本发明对铝及其合金器件的清洗再生方法理论上可以用于所有铝及其合金器件的清洗和再生,尤其是用于LCD,OLED及半导体制造装置的具有凹槽、通孔等微结构的铝及其合金器件,如喷淋头器件等。
本发明的技术方案如下:
一种铝及其合金器件的清洁及再生方法,包括步骤:
碱洗:采用碱洗溶液对铝及其合金器件进行浸泡清洗;和
酸洗:采用酸洗溶液对碱洗溶液清洗后的铝及其合金器件进行浸泡清洗;和
电解清洗:采用电解溶液对酸洗溶液清洗后的铝及其合金器件进行电解清洗。
进一步的,所述铝及其合金器件的清洁及再生方法,还包括步骤:打磨,脱脂和干燥工序;在碱洗工序之前先对待清洗的铝及其合金器件进行打磨和脱脂操作;在电解清洗操作之后还包括干燥操作。
进一步的,所述碱洗步骤包括:采用碱洗溶液对铝及其合金器件进行浸泡清洗0.1~5小时,优选浸泡清洗1小时。
进一步的,所述酸洗步骤包括:采用酸洗溶液对铝及其合金器件进行浸泡清洗0.1~5小时,优选浸泡清洗1小时。
进一步的,所述电解清洗步骤包括:采用电解溶液对铝及其合金器件进行电解处理1~20小时,优选电解处理10小时。
进一步的,所述碱洗溶液的组分及其含量百分比包括:碱1.0~50%,碱性盐0.1~25%,表面活性剂0.01~0.5%。
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