[发明专利]一种兰姆波谐振器及弹性波装置

说明书

本发明提供一种兰姆波谐振器及弹性波装置，所述兰姆波谐振器包括：支撑衬底；压电薄膜，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电薄膜的上表面；高热导率薄膜，至少形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；空气腔，形成于所述支撑衬底中，并使叉指电极所在区域的压电薄膜和高热导率薄膜悬空于所述支撑衬底上方。通过本发明提供的兰姆波谐振器及弹性波装置，解决了现有器件功率容量低的问题。

技术领域

本发明属于微电子器件技术领域，特别是涉及一种兰姆波谐振器及弹性波装置。

背景技术

随着5G n77、n78、n79以及WIFI 6等高频且相对大带宽的频段的应用，研发人员对于滤波器、双工器等弹性波装置的综合性能有着更高的要求。Tsutomu Takai发表的《I.H.P.SAW technology and its application to microacoustic components》提出了I.H.P SAW技术，但基于固态装配型的声表面波器件，受限于支撑衬底的低声速，难以激发更高声速的声波模式，从而难以工作在3GHz以上。

而通过在支撑衬底中形成空气腔来激发更高声速的声波模式，虽然能够提高器件的工作频率，且具有较大的机电耦合系数，但却在高功率输入时，容易产生大量热量及非线性效应，从而导致器件发生不可逆的损坏。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种兰姆波谐振器及弹性波装置，用于解决现有器件功率容量低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种兰姆波谐振器，所述兰姆波谐振器包括：

支撑衬底；

压电薄膜，形成于所述支撑衬底的上表面；

叉指电极，形成于所述压电薄膜的上表面；

高热导率薄膜，至少形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面，及/或，形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；

空气腔，形成于所述支撑衬底中，并使叉指电极所在区域的压电薄膜和高热导率薄膜悬空于所述支撑衬底上方。

可选地，所述高热导率薄膜形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间；或者，所述高热导率薄膜形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面；或者，所述高热导率薄膜形成于整个所述压电薄膜的上表面；或者，所述高热导率薄膜形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面及所述叉指电极的表面；或者，所述高热导率薄膜形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间，同时还形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面；或者，所述高热导率薄膜形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间，同时还形成于整个所述压电薄膜的上表面；或者，所述高热导率薄膜形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间，同时还形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面及所述叉指电极的表面。

可选地，所述兰姆波谐振器还包括介质层；在所述高热导率薄膜形成于所述支撑衬底和所述压电薄膜之间时，所述介质层形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面及所述叉指电极的表面；在所述高热导率薄膜形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面时，或者，在所述高热导率薄膜形成于整个所述压电薄膜的上表面时，所述介质层形成于所述高热导率薄膜的上表面及所述叉指电极的表面；在所述高热导率薄膜形成于所述叉指电极未覆盖的所述压电薄膜的上表面及所述叉指电极的表面时，所述介质层形成于所述高热导率薄膜的上表面。

可选地，所述高热导率薄膜的热导率大于100W/(m﹒K)。