[发明专利]一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备

权利要求书

1.一种用于半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述加热装置设置于所述半导体工艺腔室上方，所述加热装置包括：

多个加热元件，所述多个加热元件在同一平面上；

反射屏组件，设置于所述加热元件的上方，所述反射屏组件用于将所述加热元件朝向所述反射屏组件发出的光进行反射后照向所述工艺腔室，所述反射屏组件包括固定部和可动部；

调整机构，所述调整机构与所述可动部连接，且所述调整机构能够调整所述可动部与所述加热元件之间的相对位置，以调节所述半导体工艺腔室中不同区域位置的温度。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述可动部位于所述固定部的下方，且所述可动部通过所述调整机构连接于所述固定部。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述可动部具有第一表面和第二表面，所述第一表面用于与所述固定部连接，所述第二表面朝向多个所述加热元件所在的平面设置；

所述调整机构用于调节所述第一表面与多个所述加热元件所在的平面之间的夹角大小，和/或，

所述调整机构用于调节所述第二表面与多个所述加热元件所在的平面之间的距离。

4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述第二表面包括至少一个子表面，每个所述子表面的纵向剖面均呈V形，且所述V形开口朝向多个所述加热元件所在的平面设置。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述加热元件为加热灯管，多个所述加热灯管呈环状分布，且每个所述子表面下方设置有一个所述加热元件，所述V形的尖角所在的直线平行于位于所述子表面下方的所述加热灯管的长度方向。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述固定部呈环状，所述可动部的数量为多个，且多个所述可动部沿所述固定部的周向间隔对称设置。

7.根据权利要求3-6任一所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述调整机构包括：

第一螺杆，一端穿过所述固定部的背离所述可动部的一面且与第一螺帽连接，另一端连接于所述可动部分的第一表面；

第一弹簧，位于所述可动部和所述固定部之间，且所述第一弹簧套设于所述第一螺杆外周；

第二螺杆，一端穿过所述固定部的背离所述可动部的一面与第二螺帽连接，另一端连接于所述可动部的第一表面；

第二弹簧，位于所述可动部和所述固定部之间，且所述第二弹簧套设于所述第二螺杆外周。

8.根据权利要求3-6任一所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述调整机构包括：

第一导轨，一端与所述可动部的第一表面连接，另一端延伸出所述固定部背离所述可动部的一面，且所述另一端套设有第一滑块，所述第一滑块能够调整位于所述可动部与所述固定部之间的所述第一导轨的长度；

第二导轨，一端与所述可动部的第一表面连接，另一端延伸出所述固定部背离所述可动部的一面，且所述另一端套设有第二滑块，所述第二滑块能够调整位于所述可动部与所述固定部之间的所述第二导轨的长度。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺腔室的加热装置，其特征在于，所述第一导轨和所述第二导轨上均设有刻度。

10.一种半导体设备，其特征在于，包括：半导体工艺腔室和如权利要求1-9中任一项所述的半导体工艺腔室的加热装置，所述加热装置设置于所述半导体工艺腔室上方。