[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明构思的实施方案提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：下电极，其具有上表面，基板定位在所述上表面上；等离子体生成设备，其设置在所述下电极的上部处，具有上电极，且具有由多个分隔壁分隔的独立放电空间；和控制器，其执行控制以分别将反应气体独立地供应至所述独立放电空间中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月12日提交韩国韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0056692的韩国专利申请的优先权和权益。上述申请的全部公开内容通过引用合并在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置。

背景技术

工业上使用的等离子体可以被分类为低温等离子体和热等离子体，并且低温等离子体已经最广泛地用于半导体制造工艺中，以及热等离子体已经应用于金属的切割。

大气压等离子体是指一种在将气体的压力保持在100托(Torr)至大气压力(760托)的情况下产生低温等离子体的技术。因为大气压等离子体系统不需要高价的真空装备，所以大气压等离子体系统是经济的且不具有泵送构造，并且大气压等离子体系统的工艺可以以内联形式(inline form)来执行，因此可以开发出可以最大化生产率的等离子体系统。采用大气压等离子体系统的应用领域可以包括高速蚀刻/涂覆技术、半导体封装、显示、材料表面的改性和涂覆、纳米粉末的产生、有害气体的去除、以及氧化气体的产生。

一种用于产生大气压等离子体的直线型等离子体生成设备1可以具有一个气体供应管线2，并且可以采用恒定流速和特定混合比，以及在将待处理物体3沿着与等离子体生成设备1的纵向方向垂直的方向供给的情况下、处理等离子体(见图1)。

因此，由于移动待处理物体3需要相当于待处理物体面积的至少两倍的空间，因此，在构成等离子体处理设备时，必要空间变宽，且因为当待处理物体(晶片)不是矩形而是圆形时，必须处理不必要的部分(自等离子体生成设备的长度的设备的圆的外侧)，所以下供给设备(lower feeding device)的一部分可能会被腐蚀。

[现有的技术文件]

[专利文件]

韩国专利申请公开号10-2015-0101738。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置可以在圆形的待处理物体上执行均匀等离子体处理。

本发明构思的技术目的不限于上述技术目的，并且从以下描述中，其他未提及的技术目的对本领域技术人员而言将变得显而易见。

根据一实施方案，一种基板处理装置包括：下电极，所述下电极具有上表面，基板定位在所述上表面上；等离子体生成设备，所述等离子体生成设备设置在所述下电极的上部处，具有上电极，且具有由多个分隔壁分隔的独立放电空间(independent dischargespace)；和控制器，所述控制器执行控制以分别将反应气体独立地供应至所述独立放电空间。

此外，所述等离子体生成设备可包括：反应器主体，所述反应器主体具有中空条形形状，且在所述反应器主体的内部设置有放电空间；和喷射孔，所述喷射孔沿着所述反应器主体的纵向方向线性地设置在所述反应器主体的底表面上，且喷射孔将在所述独立放电空间中生成的等离子体喷射至定位在所述下电极上的所述基板。

此外，所述喷射孔的长度可等于或大于所述基板的直径。

此外，所述上电极可配置为穿过所述独立放电空间，且所述上电极的外侧被绝缘体围绕。

此外，所述下电极可配置为可旋转的，且所述分隔壁可为非导体。

此外，所述上电极的截面可为圆形，且所述绝缘体的截面可为环形。