[发明专利]存储器器件、集成电路器件及其方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

至少一个位线；

至少一个字线；以及

至少一个存储器单元，包括：

第一晶体管，包括电耦合到所述字线的栅极、第一源极/漏极和第二源极/漏极；

多个数据存储元件；和

多个第二晶体管，对应于所述多个数据存储元件，

其中，所述多个数据存储元件中的每个数据存储元件与对应的所述第二晶体管串联电耦合在所述第一晶体管的所述第一源极/漏极与所述位线之间。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

所述多个数据存储元件中的每个数据存储元件是非易失性的、可重新编程的数据存储元件。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个数据存储元件中的每个数据存储元件包括：

第一电极，

第二电极，以及

介电材料，夹在所述第一电极和所述第二电极之间，并且在以下两种状态之间电可切换：

第一状态，与存储在所述数据存储元件中的第一逻辑值相对应，和

第二状态，与存储在所述数据存储元件中的第二逻辑值相对应。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中

所述多个数据存储元件中的每个数据存储元件是电阻式随机存取存储器(RRAM)元件。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

多个选择位线，分别电连接至所述多个第二晶体管中相应的第二晶体管的栅极；以及

控制器，通过所述至少一个字线、所述至少一个位线和所述多个选择位线电耦合到所述至少一个存储器单元，

其中，在所述多个数据存储元件中的所选择的数据存储元件的重置操作中，所述控制器被配置为：

通过所述至少一个字线向所述第一晶体管的所述栅极施加导通电压以导通所述第一晶体管；

通过相应的所述选择位线向与所选择的所述数据存储元件相对应的所述第二晶体管的所述栅极施加另一个导通电压；

通过相应的所述选择位线向所述多个第二晶体管中的其他第二晶体管的所述栅极施加截止电压，并且

在对应于所选择的所述数据存储元件的所述第一晶体管和所述第二晶体管导通而所述其他第二晶体管截止的同时，向所述至少一个位线施加重置电压，以将存储在所选择的所述数据存储元件中的数据从第一逻辑值切换至第二逻辑值。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

至少一个源极线，电耦合到所述第一晶体管的所述第二源极/漏极；

多个选择位线，分别电耦合到所述多个第二晶体管中的相应第二晶体管的栅极；以及

控制器，通过所述至少一个源极线、所述至少一个字线、所述至少一个源极线、所述至少一个位线以及所述多个选择位线电耦合到所述至少一个存储器单元，

其中，在所述多个数据存储元件中的所选择的数据存储元件的重置操作中，所述控制器被配置为：

通过所述至少一个字线向所述第一晶体管的所述栅极施加导通电压以导通所述第一晶体管；

通过相应的所述选择位线向与所选择的所述数据存储元件相对应的所述第二晶体管的所述栅极施加另一个导通电压；

通过相应的所述选择位线向所述多个第二晶体管中的其他第二晶体管的所述栅极施加截止电压，并且

当与所选择的所述数据存储元件相对应的所述第一晶体管和所述第二晶体管导通而所述其他第二晶体管截止时，在将所述至少一个位线和所述至少一个源极线中的一个接地的同时向所述至少一个位线和所述至少一个源极线中的另一个施加重置电压，以将存储在所选择的所述数据存储元件中的数据从第一逻辑值切换至第二逻辑值。