[发明专利]阵列基板制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，

在所述衬底上制备得到多个间隔设置的第一牺牲层图案，定义出设置有第一牺牲层图案的第一区域、以及位于相邻所述第一牺牲层图案之间的第二区域；

在所述衬底和所述第一牺牲层图案上形成整面设置的电极层，所述电极层覆盖所述第一区域和所述第二区域，所述电极层包括位于所述第一区域的第一电极、位于所述第二区域的第二电极；

在所述第二区域制备得到第二牺牲层图案，所述第二牺牲层图案至少覆盖所述第二电极；

去除未被覆盖的所述第一电极；

去除第一牺牲层图案和第二牺牲层图案，在所述衬底上制备得到多个间隔设置的第二电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，去除未被覆盖的所述第一电极的步骤包括：

使用第一剥离液去除未被覆盖的所述第一电极。

3.如权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，去除未被覆盖的所述第一电极的步骤包括：

使用第二剥离液去除第一牺牲层图案和第二牺牲层图案。

4.如权利要求3所述的阵列基板制备方法，其特征在于，使用第二剥离液去除牺牲层图案的步骤包括：

使用第二剥离液去除第二牺牲层图案，露出被所述第二牺牲层图案覆盖的所述第二电极。

5.如权利要求4所述的阵列基板制备方法，其特征在于，使用第二剥离液去除牺牲层图案的步骤包括：

再使用第二剥离液去除第一牺牲层图案，同时第一牺牲层图案表面的第一电极也随着第一牺牲层图案的剥离而脱落。

6.如权利要求3所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层图案和所述第二牺牲层图案为正型光阻。

7.如权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，制备得到第一牺牲层图案的步骤包括：

通过曝光显影的方式制备得到第一牺牲层图案，所述第一牺牲层图案的厚度范围为1微米至3微米。

8.如权利要求7所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述第二区域制备得到第二牺牲层图案的步骤包括：

将正型光阻材料涂布在所述电极层上方，使所述正型光阻材料均匀流动到相邻第一牺牲层图案之间的低谷位置，盖住所述第二电极以及部分所述第一电极，所述第二牺牲层图案的厚度小于所述第一牺牲层图案的厚度。

9.如权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第二牺牲层图案的厚度范围为0.5微米至1.5微米。

10.如权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，形成所述第一牺牲层图案和形成所述第二牺牲层图案的步骤包括：

采用相同的正型光阻材料形成所述第一牺牲层图案和所述第二牺牲层图案。