[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

在衬底上形成将包括竖直交替的第一层及第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物；

在所述下部部分中形成支柱，所述支柱分别水平定位，其中将形成个别沟道材料串结构，所述支柱包括牺牲材料；

在所述下部部分及所述支柱上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层及第二层；

将沟道开口形成到所述堆叠中且分别延伸到个别所述支柱；

通过所述沟道开口去除所述支柱的所述牺牲材料以将所述沟道开口较深地延伸到所述堆叠中；及

在所述延长的沟道开口中及在由所述去除产生的其中的空隙空间中形成沟道材料串结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串结构分别包括在下部部分上方且与下部部分接合的上部部分，个别所述沟道材料串结构包括在所述上部及下部部分接合的垂直截面中的至少一个外部折弯表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括金属材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属材料包括元素钨。

5.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

在衬底上形成包括导体材料的导体层；

在所述导体层上方形成将包括竖直交替的第一层及第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的组合物，最下部的所述第一层包括第一牺牲材料；

在所述最下部的第一层中形成支柱，所述支柱分别水平定位，其中将形成个别沟道材料串结构，所述支柱包括第二牺牲材料；

在所述下部部分及所述支柱上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层及第二层；

将沟道开口形成到所述堆叠中且分别延伸到个别所述支柱；

通过所述沟道开口去除所述支柱的所述第二牺牲材料以将所述沟道开口较深地延伸到所述堆叠中；

在所述延长的沟道开口中及在由所述去除产生的其中的空隙空间中形成沟道材料串结构；

将水平延长沟槽形成到所述堆叠中，所述水平延长沟槽分别在横向紧邻的所述存储器块区之间且延伸到所述最下部的第一层中的所述第一牺牲材料；

通过所述沟槽从所述最下部的第一层各向同性地蚀刻所述第一牺牲材料；及

在所述各向同性蚀刻之后，在所述最下部的第一层中形成导电材料，所述导电材料将所述个别沟道材料串结构的所述沟道材料与所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二牺牲材料具有与所述第一牺牲材料、形成或将形成在所述第一牺牲材料上方的所述第一层材料，及形成或将形成在所述第一牺牲材料上方的所述第二层材料不同的组合物。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述沟道材料串结构分别包括在下部部分上方且与下部部分接合的上部部分，个别所述沟道材料串结构包括在所述上部及下部部分接合的垂直截面中的至少一个外部折弯表面。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述支柱分别包括在所述最下部的第一层上方的最上部表面。

9.根据权利要求5所述的方法，其中个别所述支柱具有在所述导体层的顶部中或处的底表面。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述底表面直接抵靠所述导体材料。

11.根据权利要求5所述的方法，其中所述最下部的第一层在所述各向同性蚀刻期间不直接抵靠所述导体层的所述导体材料。

12.根据权利要求5所述的方法，其中所述沟道材料串结构的所述沟道材料的最下部表面从未直接抵靠所述导体层中的任一个所述导体材料。