[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法

权利要求书

1.一种集成组件，其包括：

第一结构，其包括半导体材料；

第二结构，其接触所述第一结构；以及

所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物；所述组成物包含浓度在约10¹⁸原子/cm³到约10²¹原子/cm³范围内的添加剂；所述添加剂包括碳、氧、氮和硫中的一或多种。

2.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述添加剂接近所述界面且不在所述半导体材料的远离所述界面的区域内。

3.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述添加剂包含所述碳。

4.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述添加剂包含所述氮。

5.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述添加剂包含所述氧。

6.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述添加剂包含所述硫。

7.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述半导体材料包括其中掺杂剂浓度到至少约10²⁰原子/cm³的n型硅；所述掺杂剂包含磷和砷中的一或两种。

8.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述半导体材料包括其中掺杂剂浓度到至少约10²⁰原子/cm³的p型硅；所述掺杂剂包含硼。

9.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述第一结构为存储器布置的源极结构的部分。

10.根据权利要求1所述的集成组件，其中所述源极结构包含在所述第一结构下方且直接抵靠所述第一结构的含金属结构。

11.根据权利要求10所述的集成组件，其中所述第二结构延伸到所述第一结构中，但未完全延伸穿过所述第一结构。

12.根据权利要求11所述的集成组件，其中所述第二结构为隔板，且将所述存储器布置的第一块区与所述存储器布置的第二块区隔开。

13.根据权利要求12所述的集成组件，其中所述第一块区和所述第二块区包含存储器单元；其中所述个别存储器单元包含邻近沟道材料的电荷捕获材料；且其中所述沟道材料与所述源极结构电耦合。

14.根据权利要求12所述的集成组件，其中所述隔板仅包括绝缘材料。

15.根据权利要求12所述的集成组件，其中所述隔板包含导电材料。

16.一种形成集成组件的方法，其包括：

在含金属材料上方形成包括半导体材料的源极结构；所述半导体材料的区域内的添加剂的浓度在约10¹⁸原子/cm³到约10²¹原子/cm³范围内；所述添加剂包括碳、氧、氮和硫中的一或多种；

利用包括磷酸的蚀刻剂蚀刻到所述半导体材料的所述区域中；所述蚀刻形成延伸到所述区域的所述半导体材料中但未完全穿过所述半导体材料的开口；以及

在所述源极结构上方形成第二结构且所述第二结构延伸到所述开口中。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述添加剂包含所述碳。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述添加剂包含所述氮。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述添加剂包含所述氧。