[发明专利]一种mini-LED封装工艺及其封装结构

说明书

本发明提供了一种mini‑LED封装工艺及其封装结构，本发明分别形成具有多个mini‑LED芯片的第一接合部以及具有多个TFT单元的第二接合部，然后进行低温接合，在该低温下，其不影响显示屏的性能，且能够对第一接合部和第二接合部进行分别电测试，保证最终良率。此外，公共电极与多个导电柱进行电接触，可以分散电流，防止电流的集中，且能够保证边缘的接合可靠性和支撑性。

技术领域

本发明涉及发光二极管封装制造领域，具体涉及一种mini-LED封装工艺及其封装结构。

背景技术

mini-LED(即微LED)显示是一种区别于液晶显示、有机显示的新型显示技术。现有技术在制造mini-LED显示屏时，一般是采用先在基板上形成TFT单元，然后在TFT单元上键合mini-LED芯片，再进行密封和添加盖板，即从下至上依次层层形成。该种工艺形成的显示屏，其只能单独进行最后的测试，不利于良率的提升，且产线受到生产顺序性的限制，不利于提高产率。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种mini-LED封装工艺，其依次包括以下步骤：

形成第一接合部：(1)提供第一基板，所述第一基板为透明基板，在所述第一基板上整面沉积透明导电层；

(2)在所述透明导电层上键合多个mini-LED芯片，所述mini-LED芯片包括相对两侧设置的正极和负极，其中所述正极直接键合至所述透明导电层上；

(3)在所述透明导电层上形成密封层，所述密封层密封所述mini-LED芯片，且通过CMP工艺露出所述负极；

(4)在所述密封层中形成多个导电柱，所述导电柱从所述密封层中伸出一部分形成突出部，并在所述突出部上设置第一导电膏，至此形成第一接合部；

形成第二结合部：(5)提供第二基板，在所述第二基板上形成多个TFT单元，并形成覆盖所述多个TFT单元的层间介电层；

(6)在所述层间介电层上形成第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接所述TFT单元的的源/漏极；

(7)在所述层间介电层上覆盖平坦层，并在平坦层中形成电连接所述第一电极的连接电极以及露出所述第二电极的多个第二开口，至此形成第二接合部；

将第一接合部和第二接合部低温接合，以使得所述负极直接接合至所述连接电极，使得所述导电柱插入所述第二开口中并通过第一导电膏电连接至所述第二电极。

根据本发明的实施例，在步骤(4)中，形成所述导电柱的步骤包括：在所述密封层上形成一定厚度的牺牲层，并形成贯穿所述密封层和牺牲层的多个通孔，然后在所述多个通孔中填充导电材料形成所述导电柱，最后去除所述牺牲层。

根据本发明的实施例，所述第二电极为公共电极，且所述导电柱均匀分布于所述多个mini-LED芯片周围。

根据本发明的实施例，在步骤(7)中，形成所述连接电极和所述第二开口的步骤具体包括：通过激光烧蚀工艺在所述平坦层中形成多个第一开口和多个第二开口，其中多个第一开口的底部露出所述第一电极；然后通过刮板在所述多个第一开口中填充第二导电膏形成所述连接电极。

根据本发明的实施例，将第一接合部和第二接合部低温接合的步骤具体包括：将第一接合部与第二接合部压合，以使得密封层和平坦层的露出表面紧密接合，然后加热至低于100℃的温度，使得密封层与平坦层粘合，同时固化所述密封层和所述第一导电膏、第二导电膏。

本发明还提供了一种mini-LED封装结构，包括：