[发明专利]具有分段延伸区的晶体管在审
| 申请号： | 202110509973.8 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113809158A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 亨利·奥尔德里奇;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰;M·J·阿布-哈利勒 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 分段 延伸 晶体管 | ||
1.一种场效应晶体管的结构，该结构包括：
衬底，包括沟道区；
栅极结构，位于该沟道区上方，该栅极结构具有纵轴、第一侧壁、以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；
第一源极/漏极区，位于与该栅极结构的该第一侧壁相邻的该衬底中；
第二源极/漏极区，位于与该栅极结构的该第二侧壁相邻的该衬底中；以及
第一延伸区，位于该衬底中，该第一延伸区包括分别与该第一源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，且该第一延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开，
其中，该沟道区包括在该第一延伸区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的部分。
2.如权利要求1所述的结构，其中，该沟道区的该部分与该第一源极/漏极区共同延伸。
3.如权利要求1所述的结构，其中，该沟道区的该部分将该第一延伸区的该第一区段与该第一延伸区的该第二区段完全隔开。
4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一延伸区具有第一导电类型，且该沟道区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。
5.如权利要求1所述的结构，还包括：
第二延伸区，位于该衬底中，该第二延伸区包括分别与该第二源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，该第二延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。
6.如权利要求5所述的结构，其中，该沟道区包括在该第二延伸区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的第二部分。
7.如权利要求5所述的结构，其中，该沟道区包括在该第一延伸区的该第一区段与该第二延伸区的该第一区段之间横切于该栅极结构的该纵轴定位的第二部分，且该沟道区包括在该第一延伸区的该第二区段与该第二延伸区的该第二区段之间横切于该栅极结构的该纵轴定位的第三部分。
8.如权利要求1所述的结构，还包括：
第一环状区，位于该衬底中，该第一环状区包括分别与该第一延伸区叠置的第一区段及第二区段，且该第一环状区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。
9.如权利要求8所述的结构，其中，该沟道区包括在该第一环状区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的第二部分。
10.如权利要求8所述的结构，还包括：
第二延伸区，位于该衬底中，该第二延伸区包括分别与该第二源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，且该第二延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。
11.如权利要求10所述的结构，还包括：
第二环状区，位于该衬底中，该第二环状区包括分别与该第二延伸区叠置的第一区段及第二区段，且该第二环状区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。
12.如权利要求11所述的结构，其中，该沟道区包括在该第二环状区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的第二部分。
13.如权利要求8所述的结构，其中，该第一延伸区具有第一导电类型，该沟道区及该第一环状区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，且与该沟道区相比，该第一环状区含有较高的掺杂物浓度。
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