[发明专利]一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110509546.X 申请日: 2021-05-11
公开(公告)号: CN113161465A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 谢成林;丁磊;韩玉;李泉涌;彭友 申请(专利权)人: 安徽芯瑞达科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 安徽申策知识产权代理事务所(普通合伙) 34178 代理人: 梁维尼
地址: 230000 安徽省合肥市经*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 flip chip led 芯片 封装 器件 制作方法
【权利要求书】:

1.一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤;

步骤一、芯片焊接:通过固晶机和回流炉,将Flip Chip LED芯片焊接到支架上;

步骤二、封装固化:通过点胶机将混有荧光粉的封装胶水灌注到支架上,并送入固化炉内固化;

步骤三、外观检测:通过显微镜检测或AOI检测支架上封装件的外观,并剔除不良封装件,提升测试分选速度,降低封装件工作异常率;

步骤四、测试分选:将支架上的封装件剥离后经分光机测试后,分成多个参数档的封装件;

步骤五、包装入库:将分档收纳盒中的封装件通过编带机后,包装后送入仓库;

所述步骤一的芯片焊接,包括以下步骤:

步骤S01、支架除湿/电浆清洗:将支架送入烤箱进行低温烘烤,烘干支架表面的水气;再将支架送入等离子清洗机;

步骤S02、晶片扩晶:在等离子风扇的持续吹扫下,将表面粘贴有电极朝外Flip ChipLED芯片的晶片膜,倒膜至UV膜上,UV膜上的Flip Chip LED芯片电极朝向UV胶面;再通过扩晶机,拉伸扩大UV膜的面积,并使用固定环固定;随后使用UV灯对UV膜曝光解胶;

所述晶片膜上的Flip Chip LED芯片电极具有经solder bump焊锡凸块处理的焊锡层;

步骤S03、固晶:将上述固定有经扩晶处理后Flip Chip LED芯片膜的固晶环、除湿清洗后的支架送入固晶机,固晶机的点胶针蘸取助焊剂,并将助焊剂点在待固晶区域;固晶机的吸头吸取固晶膜上的Flip Chip LED芯片,并将Flip Chip LED芯片送到支架的助焊剂上;

步骤S04、回流焊接:将表面通过助焊剂粘连Flip Chip LED芯片的支架,送入回流炉中,进行回流焊接,使Flip Chip LED芯片的P电极、N电极通过solder bump焊锡凸块处理的焊锡层的焊锡层、助焊剂分别与支架上的正级、负极焊盘回流焊接;

步骤S05、电浆清洗:经回流焊接有的Flip Chip LED芯片的支架,送入等离子清洗机清洗,去除支架和的Flip Chip LED芯片表面污染物以及残留的助焊剂,随后送入防潮储存。

2.根据权利要求1所述的一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法,其特征在于,所述步骤S01中,支架除湿的时效为6小时;超过6小时,支架需要进行二次除湿;支架不超过两次除湿处理;支架电浆清洗的时效为3小时,超过3小时,支架需要进行二次电浆清洗;支架不超过两次电浆清洗处理。

3.根据权利要求1所述的一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法,其特征在于,所述步骤S03中,助焊剂的含氧量不超过100ppm;所述步骤S03中待固晶区域为支架镀层上连接支架正极、负极的交界区域,镀层为金、银、铜中的一种;所述步骤S03和所述步骤S04之间的间隔时间不超过2小时。

4.根据权利要求1所述的一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法,其特征在于,所述步骤S04中,回流焊接条件为:恒温温度150~190℃,恒温时间80~120秒;峰值温度240~250℃;回流区220℃以上,回流时间50~100℃;回流保护气体为氮气;X-RAY测试的焊接空洞率小于10%;焊接的布锡率为90%以上。

5.根据权利要求1所述的一种基于Flip Chip LED芯片封装器件的制作方法,其特征在于,所述步骤S05中,防潮储存为将回流焊接后的支架放入防潮柜中储存,储存时间不超过7天。

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