[发明专利]具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其特征在于，包含：

基底；

通道层，设于所述基板上；

阻障层，设于所述通道层上；

二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；

凹槽，设于接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及

欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的倾斜侧面直接接触。

2.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述倾斜侧面与水平面以60度至80度的角度倾斜。

3.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述通道层包含氮化镓层。

4.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层包含氮化铝镓层。

5.根据权利要求4所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层还包含氮化铝层。

6.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，另包含：

钝化层，设于所述阻障层上。

7.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述凹槽的深度在所述阻障层的底表面下方10nm。

8.根据权利要求1所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述欧姆接触金属包含钛和铝。

9.一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其特征在于，包含：

基底；

通道层，设于所述基板上；

阻障层，设于所述通道层上；

二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；

凹槽，设于接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及

欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层和所述二维电子气层的垂直侧面直接接触，并与所述凹槽中的所述通道层的一倾斜侧面直接接触。

10.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述倾斜侧面与水平面以60度至80度的角度倾斜。

11.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述通道层包含氮化镓层。

12.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层包含氮化铝镓层。

13.根据权利要求12所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述阻障层还包含氮化铝层。

14.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，另包含：

钝化层，设于所述阻障层上。

15.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述凹部的深度在所述阻障层的底表面下方10nm。

16.根据权利要求9所述的具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，其中，所述欧姆接触金属包含钛和铝。