[发明专利]微发光二极管、微发光元件及显示器

说明书

本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层和绝缘层；半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；绝缘层至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。本申请利用半导体堆叠层来保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层，避免绝缘层中侧部与水平部的交点在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下，从而避免位于半导体堆叠层侧壁处的绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性以及出光效率。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。

背景技术

微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点，是目前热门研究的下一代显示器光源。为了提高微发光二极管的出光效率，一般在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层，且同时需对微发光二极管的出光面进行粗化，在对出光面粗化过程中，侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下而受到损伤，导致绝缘层失效，并影响微发光二极管的出光效率。

发明内容

本申请的目的是提供一种微发光二极管，其利用半导体堆叠层来保护侧壁处的绝缘层，避免侧壁处的绝缘层因暴露在蚀刻流体下受到损伤而导致绝缘层失效，以提高微发光二极管的出光效率。

另一目的还在于提供一种微发光元件，以及一种显示器。

第一方面，本申请实施例提供一种微发光二极管，其包括：

半导体堆叠层，具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部；

绝缘层，至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁；位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部，侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。

在一种可能的实施方案中，侧部与水平部的交点位于半导体堆叠层远离粗糙部的一侧。

在一种可能的实施方案中，在半导体堆叠层的内部，交点与半导体堆叠层最外侧之间的距离D₁等于或大于0.5μm。

在一种可能的实施方案中，绝缘层由氧化钛制备而成；或者，绝缘层的材料之一为氧化钛。

在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层包括相连的第一部和第二部，第一部位于半导体堆叠层靠近第一表面的一侧，第二部位于半导体堆叠层远离第一表面的一侧；第一部的宽度大于第二部的宽度。

在一种可能的实施方案中，第一部的厚度等于或大于0.5μm。

在一种可能的实施方案中，绝缘层覆盖半导体堆叠层的第二表面、以及第二部的侧壁。

在一种可能的实施方案中，第一部的侧壁覆盖有保护层。

在一种可能的实施方案中，第一表面除粗糙部之外的区域覆盖有保护层；保护层所覆盖第一表面的区域的宽度D₂等于或大于0.5μm，且小于或等于1μm。

在一种可能的实施方案中，保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝的一种或多种。

在一种可能的实施方案中，保护层的厚度为100～20000埃。

在一种可能的实施方案中，微发光二极管的宽度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm；

微发光二极管的长度为2～5μm、5～10μm、10～20μm、20～50μm或50～100μm。

第二方面，本申请实施例提供一种微发光元件，其包括：

基板；