[发明专利]一种控制氩退火片边缘Haze的工艺

说明书

本发明公开了一种控制氩退火片边缘Haze的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、粗抛液、精抛液、去蜡剂、中抛液、氢氧化钾、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将8寸直拉酸腐硅片放置到抛光机上进行硅片正面抛光处理，抛光过程中根据需要适当添加相应的抛光液，正面抛光处理完成后，可将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、氢氧化钾、去离子水导入到清洗机内部对抛光硅片进行清洗处理，并在清洗过程中添加适当的清洗药液。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种控制氩退火片边缘Haze的工艺。

背景技术

半导体发展到今天，硅材料占据着举足轻重的地位，如今蓬勃发展的第三代半导体材料GaN的生长也基本都使用硅基衬底。半导体单晶拉制有直拉和区熔两大类，直拉单晶因为使用石英坩埚，体内氧含量较区熔单晶高，硅片机械性能优于区熔单晶，应用领域远远广于区熔单晶。器件对直拉硅片无缺陷和内吸杂的需求一直驱动着直拉单晶和硅片加工技术的不断发展。

直拉硅片的缺陷可分为4大类：(1)点缺陷：空位、间隙原子、替位原子，(2)线缺陷：位错等；(3)面缺陷：层错、晶粒边界等；(4)体缺陷：D缺陷(晶体原生颗粒，简称COP)、体内微缺陷(BMD)等。其中，线缺陷和面缺陷对直拉硅片应用有害无利，已在20世纪中期单晶技术发展过程中解决，COP在20世纪中后期一直困扰着单晶技术的发展，TOSHIBA CeramicsCo.LTD开发出氢气退火技术，解决了硅片表层COP的问题，满足了器件制程需求。由于氢气危险性较高，氢气退火技术逐渐发展为氩气退火。氩气退火工艺解决硅片表层COP的同时在硅片内部形成了DZ(洁净区)层和BMD层，满足了器件对内吸杂的需求，20世纪后期，晶体专家逐步优化单晶工艺和退火工艺，控制硅片COP FREE深度和BMD密度满足不同器件制程需求，本世纪初期，国内浙江大学、有研半导体材料股份有限公司等高校和企业对氩气退火片COP、DZ深度和BMD密度做了全面系统的研究。随着器件端线宽不断降低，对硅片表面颗粒和表面Haze要求越来越高，而氩气退火片表面容易产生Haze(边缘居多)，导致颗粒增多。

发明内容

本发明的目的在于提供一种控制氩退火片边缘Haze的工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种控制氩退火片边缘Haze的工艺，其实验工艺包括以下步骤：

S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、粗抛液、精抛液、去蜡剂、中抛液、氢氧化钾、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用。

S2、然后将8寸直拉酸腐硅片放置到抛光机上进行硅片正面抛光处理，抛光过程中根据需要适当添加相应的抛光液，正面抛光处理完成后，可将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、氢氧化钾、去离子水导入到清洗机内部对抛光硅片进行清洗处理，并在清洗过程中添加适当的清洗药液。

S3、最后可将清洗完成后的8寸直拉酸腐硅片放置到强光灯下，通过实时观察检验硅片表面缺陷情况，并且将硅片放置到显微镜下，通过显微镜再次实时观察检验硅片表面缺陷情况，观察完成后将硅片放置到退火炉内部进行氩气退火处理，并通过颗粒测试仪对硅片表面进行颗粒测试，并将测试的相关数据和图像进行记录对比，通过数据图像对比和分析得出相应的实验结果。

优选的，一种控制氩退火片边缘Haze的工艺，其一种控制氩退火片边缘Haze的工艺的实验原料组成为：

8寸直拉酸腐硅片：CZ/MCZ；

抛光液：WP2010K；

Ar纯度纯度：99.9999％；

氢氧化钾分析纯浓度：45％；

氨水分析纯含量：28％-30％；