[发明专利]一种硫系高双折射十边形光子晶体光纤有效

专利信息
申请号: 202110504390.6 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113189697B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 翁坤;闫欣 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;C03C13/04
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 马海芳
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 硫系高 双折射 十边形 光子 晶体 光纤
【权利要求书】:

1.一种硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,该硫系高双折射十边形光子晶体光纤是以硫系玻璃作为基底材料,椭圆空气孔形成内包层,在内包层外周还设置有外包层;

内包层为两种不同椭圆率的椭圆空气孔组成,每种椭圆率的椭圆空气孔为2个,不同椭圆率的椭圆空气孔呈交替排列,每个椭圆的长轴方向相同;

外包层为数层圆空气孔组成,数层选用3-5层,每层圆空气孔均按正十边形排列;

两个第二椭圆空气孔的长轴位于同一条直线上,两个第一椭圆空气孔短轴位于同一条直线上,并且第二椭圆空气孔长轴连线和第一椭圆空气孔短轴连线垂直;

其中,第一椭圆空气孔间距Λ0=1.4μm、第二椭圆空气孔间距Λ1=1.9μm,第一椭圆空气孔长轴a0=2μm、短轴为b0=0.8μm,第二椭圆空气孔长轴为a1=1.2μm、短轴为b1=0.4μm;

硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其在1550nm的波长处的双折射值为8.73×10-2~8.99×10-2,X偏振态有效模场面积为0.461μm2~0.466μm2,Y偏振态有效模场面积为0.459μm2~0.47μm2

2.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,硫系玻璃为硫族元素S、Se、Te和其他元素形成的玻璃中的一种。

3.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,硫系高双折射十边形光子晶体光纤的截面结构呈中心对称。

4.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,每个椭圆空气孔的长轴方向和外包层的每层圆空气孔形成的正十边形的其中一条对角直径垂直,并且每层圆空气孔形成的正十边形沿椭圆空气孔的长轴呈轴对称。

5.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,两种不同椭圆率的椭圆空气孔中,第一椭圆空气孔的椭圆率第二椭圆空气孔的椭圆率,两种椭圆空气孔的椭圆率差值为0.1~0.6。

6.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,外包层中,数层圆空气孔形成的数层正十边形的每个对角连线位于同一条直线上。

7.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,以靠近内包层外周的一层圆空气孔设置为第一层圆空气孔,以第一层圆空气孔形成的正十边形的半径为Λ,其相邻的一层圆空气孔形成的正十边形的半径为2Λ,依次类推,最后一层圆空气孔形成的正十边形的半径为NΛ,N为外包层包括的圆空气孔的层数,每层正十边形之间的层间厚度为Λ;外包层中,每个圆空气孔的直径均相同。

8.根据权利要求1所述的硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其特征在于,硫系高双折射十边形光子晶体光纤,其在1550nm的波长处,X偏振态的非线性系数为199.89m-1·W-1~202.05m-1·W-1,Y偏振态的非线性系数为198.25m-1·W-1~203.22m-1·W-1

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