[发明专利]工艺腔室、晶圆和压环传输方法及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中的工艺腔室，包括腔体、设置在所述腔体内的内衬和可升降的基座，且所述腔体的侧壁上设置有用于供传输装置通过的传片口，其特征在于，所述工艺腔室还包括均设置在所述腔体内的第一支撑件、第二支撑件、第一压环和第二压环，其中，所述第一支撑件与所述内衬连接，用于支撑所述第一压环；

所述第二支撑件设置于所述第一支撑件的下方，用于支撑所述第二压环；并且，所述第二支撑件上设置有与所述传片口相对的开口，用于在所述传输装置取出或放入所述第二压环时，供所述第二压环和所述传输装置通过；

所述第一压环的内径大于所述第二压环的内径，在所述基座上升至工艺位置的过程中，所述基座能够依次顶起所述第二压环和所述第一压环，在所述基座到达所述工艺位置时，所述第二压环能够叠置于所述基座上的晶圆的上表面的边缘区域，所述第一压环能够叠置于所述第二压环的上表面的边缘区域。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二支撑件包括两个支撑块，两个所述支撑块均与所述第一支撑件连接，且沿水平方向相对设置在所述传片口的两侧，并且两个所述支撑块之间的间隔空间构成所述开口。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑块靠近所述第二压环的内侧边缘处形成有低于所述支撑块上表面的台阶部，所述台阶部用于支撑所述第二压环，并限定所述第二压环在所述支撑块上的位置。

4.根据权利要求2或3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一支撑件包括自所述内衬的下端朝所述内衬的内侧水平延伸的第一环形延伸部，和自所述第一环形延伸部的内周缘朝上延伸的第二环形延伸部，其中，

所述支撑块与所述第一环形延伸部连接；

所述第二环形延伸部的上端用于支撑所述第一压环。

5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一压环包括第一环形本体，所述第一环形本体的下表面在所述基座位于所述工艺位置时，叠置在所述第二压环的上表面的边缘区域；并且，在所述第一环形本体的内周面上形成有第一环形凸缘，所述第一环形凸缘的下表面与所述第二压环的上表面间隔设置；

在所述第二压环的上表面形成有第一环形凹槽和环绕在所述第一环形凹槽周围的第二环形凹槽，其中，所述第一环形凹槽的开口与所述第一环形凸缘的内周缘相对；所述第二环形凹槽的开口与所述第一环形本体的内周缘相对，且所述第一环形凹槽的径向宽度大于所述第二环形凹槽的径向宽度。

6.根据权利要求1或5所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二压环包括第二环形本体，所述第二环形本体的下表面在所述基座位于所述工艺位置时，叠置在置于所述基座上的晶圆的上表面边缘区域；并且，在所述第二环形本体的内周面上形成有第二环形凸缘，所述第二环形凸缘的下表面与所述晶圆的上表面间隔设置。

7.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括设置在所述腔体内的可升降的至少三个支撑柱，至少三个所述支撑柱沿所述基座的周向间隔分布在所述基座的周围，至少三个所述支撑柱的上端面共同构成支撑所述晶圆的下表面边缘区域的第一承载面，且在每个所述支撑柱上均设置有相对于其上端面凸出的限位段，至少三个所述支撑柱上的所述限位段的上端面共同构成支撑所述第二压环的第二承载面。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，至少三个所述支撑柱上的所述限位段在所述第一承载面以上形成限位空间，所述限位空间的开口尺寸沿远离所述第一承载面的方向递增，用于校准所述晶圆在所述第一承载面上的位置。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，所述限位段朝向所述基座的侧面为斜面，或者，所述限位段为锥形段；其中，

所述斜面或者所述锥形段的母线与水平面之间的夹角大于60°，且小于等于80°。

10.根据权利要求8或9所述的工艺腔室，其特征在于，在所述第二压环的底部设置有环形配合部，所述环形配合部与所述限位段滑动配合，用于校准所述第二压环在所述第二承载面上的位置。