[发明专利]一种MMC五电平半桥反串联子模块FLHASM拓扑结构

权利要求书

1.一种MMC五电平半桥反串联子模块FLHASM拓扑结构，其特征在于：包括MMC子模块拓扑，所述MMC子模块拓扑包括子模块输出端，所述子模块输出端为电压正极输出端与负极输出端，所述子模块拓扑还包括左半部分和右半部分，左半部分由两个半桥子模块反向串联构成，右半部分是将两个反向的半桥子模块通过一个功率器件组T₇和D₇连接，两部分再通过一个大功率二极管D₁₀相连构成一个完整的子模块拓扑结构。

2.根据权利要求1所述的MMC五电平半桥反串联子模块FLHASM拓扑结构，其特征在于：所述左半部分由四个绝缘栅双极型晶体管T₁、T₂、T₃、T₄和四个二极管D₁、D₂、D₃、D₄以及两个电容C₁和C₂构成；

绝缘栅双极型晶体管T₁和二极管D₁反并联，T₁发射极与D₁阳极相连，T₁集电极与D₁阴极相连；绝缘栅双极型晶体管T₂和二极管D₂反并联，T₂发射极与D₂阳极相连，T₂集电极与D₂阴极相连，T₁发射极与D₁阳极相连的连接节点与T₂集电极与D₂阴极相连的连接节点相连，电容器C₁的正极与T₁集电极和D₁阴极的连接节点相连，负极与T₂发射极和D₂阳极的连接节点相连；

绝缘栅双极型晶体管T₃和二极管D₃反并联，T₃发射极与D₃阳极相连，T₃集电极与D₃阴极相连；绝缘栅双极型晶体管T₄和二极管D₄反并联，T₄发射极与D₄阳极相连，T₄集电极与D₄阴极相连，T₃集电极与D₃阴极相连的连接节点与T₄发射极与D₄阳极相连的连接节点相连，电容器C₂的正极与T₄集电极和D₄阴极的连接节点相连，负极与T₃发射极和D₃阳极的连接节点相连；

绝缘栅双极型晶体管T₂发射极和二极管D₂阳极相连的连接节点与T₃集电极与D₃阴极相连的连接节点相连的连接节点相连，T₁发射极与D₁阳极相连的连接节点作为子模块电压正极输出端。