[发明专利]存储器件、集成电路器件及形成方法

说明书

一种存储器件包括至少一个位线、至少一个字线以及包括电容器和晶体管的至少一个存储器单元。该晶体管具有耦合至字线的栅极端子、第一端子，以及第二端子。该电容器具有耦合至晶体管的第一端子的第一端、耦合至位线的第二端，以及位于第一端与第二端之间的绝缘材料。该绝缘材料被配置为在施加在第一端与第二端之间的预定击穿电压或更高击穿电压下击穿。本发明的实施例还公开了集成电路器件及形成存储器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器件、集成电路器件及形成方法。

背景技术

集成电路(IC)器件包括以IC布局图表示的多个半导体器件。IC布局图是分层的，并包括根据半导体器件设计规范执行更高级别功能的模块。模块通常由单元的组合构建，每个单元代表被配置为执行特定功能的一个或多个半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时也称为标准单元)存储在标准单元库(为简化起见，以下称为“库”或“单元库”)中，并可通过各种工具(诸如电子设计自动化(EDA)工具)进行访问、生成、优化和验证IC设计。半导体器件和单元的实例对应地包括存储器件和存储器单元。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种存储器件，包括：至少一个位线；至少一个字线；以及至少一个存储器单元，包括电容器和晶体管，晶体管具有：栅极端子，耦合至字线；第一端子，和第二端子，电容器具有：第一端，耦合至晶体管的第一端子，第二端，耦合至位线；和绝缘材料，位于第一端与第二端之间，并且被配置为在施加在第一端与第二端之间的预定击穿电压或更高击穿电压下击穿。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：衬底，在上面具有多个晶体管；金属层，位于衬底上方，金属层包括至少一个位线；以及多个电容器，在衬底的厚度方向上位于金属层与衬底之间，其中，多个电容器中的每个电容器耦合在至少一个位线与多个晶体管中的对应晶体管的第一源极/漏极区之间；并且多个电容器中的每个电容器包括绝缘材料，绝缘材料被配置为在跨绝缘材料施加的预定击穿电压或更高击穿电压下击穿。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成存储器件的方法，包括：在衬底上方形成多个晶体管，其中，多个晶体管以阵列布置，阵列包括行和横向于行的列；在多个晶体管上方形成多个字线，其中，列中的每一个中的晶体管的栅极电耦合至多个字线中的至少一个对应字线；在多个晶体管上方形成多个金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，其中，多个电容器与多个晶体管以相同阵列布置；多个电容器中的每个电容器在衬底的厚度方向上与多个晶体管中的对应晶体管重叠；多个电容器中的每个电容器包括第一端和第二端，第二端电耦合至对应晶体管的源极/漏极区；以及在多个电容器上方形成多个位线，其中，行中的每一个中的电容器的第一端电耦合至多个位线中的对应位线。

附图说明

当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可最好地理解本发明的各方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为论述清楚，各种部件的尺寸可任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的存储器件的示意性框图。

图2A至图2C是根据一些实施例的处于各种操作中的存储器单元的示意性电路图。

图3是根据一些实施例的存储器件的示意性电路图。

图4A至图4D是根据一些实施例的存储器件的IC布局图中的各个层处的示意图。

图5A是根据一些实施例的存储器件的IC布局图的示意图。

图5B是根据一些实施例的存储器件的IC布局图的示意图，包括电路图。

图6A至图6C是根据一些实施例的各种IC器件的示意性截面图。

图7A至图7D是根据一些实施例的在制造过程的各个阶段制造的IC器件的示意性截面图。

图8是根据一些实施例的方法的流程图。