[发明专利]一种冷氢化合成气的处理方法及系统

说明书

本发明公开一种冷氢化合成气的处理方法，包括，对冷氢化合成气洗涤；将洗涤后的气相物作为多晶硅生产工艺中的粗分塔再沸器的热源进行换热/一级换热，得到第一气相物；或/和，将所述气相物/第一气相物作为多晶硅生产工艺中的循环氢气加热的热源进行换热/二级换热，得到第二气相物；或/和，将所述气相物/第二气相物作为多晶硅生产工艺中的四氯化硅原料预热的热源进行换热/三级换热，得到第三气相物。本发明还公开一种冷氢化合成气的处理系统。本发明可对冷氢化合成气的热能进行综合利用，减少热能损耗，大大降低冷媒的消耗量和能耗，降低生产成本。

技术领域

本发明属于多晶硅技术领域，具体涉及一种冷氢化合成气的处理方法及系统。

背景技术

在传统多晶硅冷氢化生产过程中，冷氢化反应的合成气(540℃)经过除尘后的尾气(160℃)直接采用冷媒进行换热冷却降温(3℃)，不仅冷媒的消耗大，能耗高，且尾气的热能未得到有效利用，热能损耗大。随着多晶硅生产规模不断加大，这种冷媒消耗和能耗越发显得巨大，热能损耗明显。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种冷氢化合成气的处理方法及系统，可对冷氢化合成气的热能进行综合利用，减少热能损耗，大大降低冷媒的消耗量和能耗，降低生产成本。

根据本发明的一个方面，提供一种冷氢化合成气的处理方法，其技术方案如下：

一种冷氢化合成气的处理方法，包括，

对冷氢化合成气洗涤，同时可以降低冷氢化合成气的温度；

将洗涤后得到的气相物作为多晶硅生产工艺中的粗分塔再沸器的热源进行换热/一级换热，得到第一气相物；和/或，

将所述气相物/第一气相物作为多晶硅生产工艺中的循环氢气加热的热源进行换热/二级换热，得到第二气相物；和/或，

将所述气相物/第二气相物作为多晶硅生产工艺中的四氯化硅原料预热的热源进行换热/三级换热，得到第三气相物。

本发明的处理方法在对冷氢化合成气洗涤后，根据情况，对冷氢化合成气的余热利用可以作为多晶硅生产工艺中的粗分塔再沸器的热源进行换热和/或作为多晶硅生产工艺中的循环氢气加热的热源进行换热和/或作为多晶硅生产工艺中的四氯化硅原料预热的热源进行换热，即对冷氢化合成气的余热利用既可以是单独使用其中一种方式换热，也可以是同时使用其中的两种或三种方式换热，以充分利用余热。

优选的是，所述第一气相物的温度为130-135℃；所述第二气相物的温度为115-125℃；所述第三气相物的温度为100-110℃。

优选的是，本方法还包括，

将所述第一气相物和/或所述第二气相物和/或所述第三气相物通过冷媒进行冷凝，以冷凝分离出第三气相物中的氯硅烷。

优选的是，所述冷媒包括空气、循环水、7℃水、-20℃的氯硅烷的冷凝液、氟利昂中的一种或多种。

优选的是，本方法还包括，

将所述换热、所述一级换热、所述二级换热、以及所述三级换热过程中的任意一个或多个过程中换热产生的液相物作为洗涤所述冷氢化合成气的洗涤液；

和/或，将所述冷媒冷凝分离出的氯硅烷作为洗涤所述冷氢化合成气的洗涤液。

根据本发明的另一个方面，提供一种冷氢化合成气的处理系统，其技术方案如下：

一种冷氢化合成气的处理系统，其特征在于，包括急冷塔、粗分塔再沸器、第一预热器、第二预热器，其中：

所述急冷塔，用于对冷氢化反应生成的冷氢化合成气进行洗涤；