[发明专利]一种负离子助眠电路及空气净化器

权利要求书

1.一种负离子助眠电路，其特征在于：

包括供电电路、单片机控制电路及检测振荡倍压电路；

所述供电电路用于给单片机控制电路以及检测振荡倍压电路供电；

所述单片机控制电路用于生成一个超低频的开断信号给检测振荡倍压电路；

所述检测振荡倍压电路包括震荡电路和倍压升压电路，供电电路产生直流电，并通过振荡电路产生高频震荡脉冲电流；所述高频震荡脉冲电流通过检测振荡倍压电路的一MOS管控制通断的输入到倍频高压升压电路，同时，MOS管受上述超低频的开断信号控制通断，高频震荡脉冲电流经过倍频高压升压电路的升压、MOS管控制的低频波的复合，最终形成带有低频波的负离子高压输出。

2.根据权利要求1所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述供电电路包括二极管D1、电阻R1、电感L1和电容C3，所述二极管D1正极分别连接电源VBUS和电阻R1，电阻R1另一端分别连接接地电阻R2、接地电容C5和单片机PB6脚，二极管D1负极分别连接接地二极管D2负极、接地电容C3和电感L1，电感L1分别连接接地电容C4和接地电容C2；所述电源VBUS还连接电容C8，电容C8另一端连接接地电容C9和TP11脚。

3.根据权利要求1所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述单片机控制电路包括单片机ATA6617C-P3QW，单片机ATA6617C-P3QW引脚24分别连接接地电容C6、电感L2和TP9脚，电感L2另一端连接5V电源，单片机ATA6617C-P3QW引脚11分别连接接地电阻R5和TP10脚，单片机ATA6617C-P3QW引脚13分别连接接地电阻R9、电阻R8和TP20脚，单片机ATA6617C-P3QW引脚16分别连接单片机ATA6617C-P3QW引脚17、电容C12、电容C13和5V电源，电容C12另一端连接电容C13另一端并接地，单片机ATA6617C-P3QW引脚29分别连接电阻R4和接地电容C7，电阻R4另一端连接5V电源，单片机ATA6617C-P3QW引脚23分别连接电容C10、电阻R10、电阻RT1和TP21脚，电阻RT1另一端连接5V电源。

4.根据权利要求1所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述检测振荡倍压电路包括芯片74LVC1G80GW和芯片SN74LVC2G74DCUR，芯片74LVC1G80GW引脚1分别连接接地电阻R12和TP25脚，芯片74LVC1G80GW引脚2连接TP24脚，芯片74LVC1G80GW引脚3 接地，芯片74LVC1G80GW引脚5分别连接接地电容C21和5V电源，芯片74LVC1G80GW引脚4分别连接TP29脚和电阻R13，电阻R13另一端分别连接TP30脚和MOS管Q1的G极，MOS管Q1的D极分别连接电阻R14、接地二极管D14负极、TP27脚、TP28脚、二极管D3正极，二极管D3负极分别连接电容C15、电阻R11和TP26脚，电容C15另一端连接电阻R11，所述MOS管D1的S极分别连接接地电阻R22、接地电阻R23、TP34脚、电容C31、电阻R28和电阻R29，电容C31另一端分别连接TP33脚和电阻R14另一端，所述电阻R29另一端分别连接接地电容C34、TP40脚和单片机ATA6617C-P3QW的PB5脚，所述电阻R28另一端分别连接接地电容C33、TP39脚、接地电阻R30和三极管U6B发射极，三极管U6B基极分别连接三极管U6B集电极、TP36脚、电阻R25和三极管U6A基极，电阻R25另一端连接5V电源，三极管U6A集电极分别连接电阻R24、TP35脚和芯片SN74LVC2G74DCUR的6脚，三极管U6A集电极分别连接电阻R24、TP35脚和芯片SN74LVC2G74DCUR的6脚。

5.根据权利要求1所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述超低频的开断信号频率低于10Hz。

6.根据权利要求1-5任一所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述的供电电路、单片机控制电路及检测振荡倍压电路均整合集成在一块PCB板上。

7.根据权利要求6所述的睡眠波负离子控制电路，其特征在于：所述PCB板固定于一密封盒内，并在密封盒内沁入环氧树脂后形成固化保护。