[发明专利]配电网拓扑结构识别装置

说明书

本申请公开了一种配电网拓扑结构识别装置，包括：发射高于第一预设频率且小于第二预设频率的电流特征脉冲至待识别配电网的电缆上的调制电路；套设在电缆上的柔性电流互感器，以从电缆接收电流特征脉冲生成的磁场中感应得到待识别配电网的拓扑信息；处理电路，处理电路与柔性电流互感器相连，以根据电待识别配电网的拓扑信息识别待测配电网的拓扑结构。由此，解决了相关技术中通过人工识别配电网拓扑结构，识别的确性差、效率低、且成本高等问题。

技术领域

本申请涉及电力技术领域，特别涉及一种配电网拓扑结构识别装置。

背景技术

配电网拓扑结构的准确记录对配电网相关工作的开展至关重要，因此，如何识别配电网拓扑结构成为了亟需解决的问题。

相关技术中，通常通过人工逐一记录的方式识别配电网拓扑结构。然而，人工识别的方式不仅耗时耗力，识别效率较低，且易出现数据缺失及记录错误的情况，准确性较差，大大增加了识别的时间及人力成本。

申请内容

本申请提供一种配电网拓扑结构识别装置，以解决相关技术中通过人工识别配电网拓扑结构，识别的确性差、效率低、且成本高等问题

本申请实施例提供一种配电网拓扑结构识别装置，包括：发射高于第一预设频率且小于第二预设频率的电流特征脉冲至待识别配电网的电缆上的调制电路；套设在所述电缆上的柔性电流互感器，以从所述电缆接收所述电流特征脉冲生成的磁场中感应得到所述待识别配电网的拓扑信息；处理电路，所述处理电路与所述柔性电流互感器相连，以根据所述待识别配电网的拓扑信息识别所述待识别配电网的拓扑结构。

进一步地，所述调制电路包括：第一功率半导体器件和第二功率半导体器件，所述第一功率半导体器件和所述第二功率半导体器件的源极相连；可变电阻，所述可变电阻的一端与所述第一功率半导体器件的漏极相连，所述可变电阻的另一端与待识别配电网的的火线线路相连，所述第二功率半导体器件的漏极与待识别配电网的零线线路相连；幅度调制器，所述幅度调制器与待测配电网的火线线路相连；调制发射器，所述调制发射器分别与所述第一功率半导体器件和第二功率半导体器件的栅极相连，以发射高于第一预设频率的电流特征脉冲。

进一步地，其中，在交流电源的正半周时，所述火线线路的电流通过所述可变电阻和所述第一功率半导体器件的调制后，从所述第二功率半导体器件的续流二极管流回所述零线线路；在交流电源的负半周时，所述零线线路的电流由所述第二功率半导体器件的调制后，从所述所述第一功率半导体器件的续流二极管流出，并经过所述可变电阻流回所述火线线路。

进一步地，所述拓扑信息包括电压信号，所述处理电路包括：与所述柔性电流互感器相连的积分放大电路，以对所述电压信号进行积分得到实际电流波形；与所述积分放大电路相连的带通滤波器，以滤除所述实际电流波形中第三预设频率的电流波形；与所述带通滤波器相连的脉宽与频率识别电路，以从滤波后的实际电流波形中提取所述电流特征脉冲；与所述脉宽与频率识别电路相连的电平变换电路，以将所述电流特征脉冲转换成预设电平信号；与所述电平变换电路相连的模数转换器，以将所述预设电平信号转换成数字电平信号；与所述模数转换器相连的处理器，以根据所述数字电平信号识别所述待测配电网的拓扑结构。

可选地，所述第一预设频率可以为1KHz，所述第二预设频率可以为100MHz。

可选地，所述第一功率半导体器件和所述第二功率半导体器件可以为IGBT((Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)或MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化层半导体场效晶体管)。

可选地，所述调制发射器可以为PWM(Pulse width modulation，脉冲宽度调制)调制器。

可选地，所述第三预设频率为50Hz。