[发明专利]磁致折变光纤折射率测量系统在审

专利信息
申请号: 202110500314.8 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN113281011A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 王廷云;黄素娟;黄彩红;董艳华;闫成;孙婉婷;黄怿 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01M11/04;G01M11/00
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 唐斌
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 折变 光纤 折射率 测量 系统
【权利要求书】:

1.一种磁致折变光纤折射率测量系统,包括光源(101),其特征在于:通过分光装置(102)将光源(101)的光分为两束,一束光作为参考光,另一束作为测量光,待测光纤(105)置于磁场中,测量光经过待测光纤(105)透射后和参考光进入光路干涉模块(108)。

2.根据权利要求1所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:待测光纤(105)垂直于测量光光路,测量光沿待测光纤(105)横向传播。

3.根据权利要求2所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:待测光纤(105)安装在光纤自动对焦支架(106)上,光纤自动对焦支架(106)置于磁场发生装置(2)中。

4.根据权利要求3所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:待测光纤(105)浸没在含匹配液的比色皿中,再由光纤自动对焦支架(106)固定光纤和比色皿。

5.根据权利要求3所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:采用温控设备(3)调节待测光纤(105)的温度。

6.根据权利要求4所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:磁场发生装置(2)置于电磁屏蔽装置(4)中。

7.根据权利要求5所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:整个测量系统安装在真空稳定装置(5)中。

8.根据权利要求1-7任一项所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:参考光和测量光的光路上安装反光镜(103),参考光经反光镜(103)进入光路干涉模块(108),测量光经反光镜(103)进入待测光纤(105)折射后进入光路干涉模块(108)。

9.根据权利要求8所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:分光装置(102)、两个反光镜(103)和光路干涉模块(108)布置在矩形的四个角,分光装置(102)和光路干涉模块(108)呈对角布置;光路干涉模块(108)的两条入射光路上设置光信号传输放大装置(107);光路干涉模块(108)连接信号处理装置(109)。

10.根据权利要求9所述的磁致折变光纤折射率测量系统,其特征在于:真空稳定装置(5)是镀有TiZrV薄膜的真空管道,经过低温激活后抽气真空。

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