[发明专利]形成半导体存储器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成多个栅极结构，每个所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；

在所述衬底上形成多个隔离鳍片，每个所述隔离鳍片彼此平行并且分别在每个所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸；以及

在形成所述隔离鳍片之后，在所述衬底上形成沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸的至少一位线，其中所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在所述第二方向交替排列，每个所述隔离鳍片的部分的顶面和两侧面同时被同一位线覆盖，未被位线覆盖的另一部分的隔离鳍片在衬底的投影方向上的高度大于被位线覆盖的隔离鳍片的高度。

2.根据权利要求1所述的形成半导体存储器件的方法，其中，形成所述多个隔离鳍片包括：

在所述衬底上形成多个初始隔离鳍片；以及

图案化所述多个初始隔离鳍片以形成所述多个隔离鳍片。

3.根据权利要求2所述的形成半导体存储器件的方法，其中，形成所述多个隔离鳍片包括：

在所述衬底上形成隔离层；

在所述隔离层中形成多个沟槽，每个所述沟槽彼此平行并且在每个所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸；以及

在所述多个沟槽中形成所述多个初始隔离鳍片。

4.根据权利要求3所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述至少一位线包括多个第一引脚和多个第二引脚，所述多个第一引脚不直接接触所述衬底，且所述多个第二引脚直接接触所述衬底。

5.根据权利要求4所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述多个第一引脚和所述多个第二引脚与所述多个隔离鳍片在所述第二方向交替排列。

6.根据权利要求4所述的形成半导体存储器件的方法，其中，每个所述第二引脚形成在任意两个所述第一引脚之间。

7.根据权利要求4所述的形成半导体存储器件的方法，其中，形成所述至少一位线包括：

在所述隔离层上形成第一光刻胶结构，以形成沟槽开口；

在所述隔离层上形成第二光刻胶结构，以形成通孔开口；以及

在所述沟槽开口中形成所述第一引脚以及在所述通孔开口中形成所述第二引脚。

8.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述沟槽开口在形成所述通孔开口之前形成。

9.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述通孔开口在形成所述沟槽开口之前形成。

10.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述通孔开口与所述沟槽开口同时形成。

11.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，其中，通过双镶嵌制作工艺形成所述沟槽开口和所述通孔开口。

12.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，其中，所述多个第一引脚和所述多个第二引脚彼此互相连接。

13.根据权利要求7所述的形成半导体存储器件的方法，进一步包括：

在形成所述沟槽开口和所述通孔开口之后，在所述衬底上、所述多个隔离鳍片和所述至少一位线之间形成多个隔离结构，其中所述多个隔离结构和所述多个隔离鳍片包括不同的材料。

14.根据权利要求13所述的形成半导体存储器件的方法，其中，部分的所述多个隔离鳍片的顶面低于所述隔离结构的顶面。