[发明专利]一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法

权利要求书

1.一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：其合成步骤如下：以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0-7.0，开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂，充分电镀后得到金锡合金镀层；

其中，电镀液C由可溶性Au盐、可溶性Sn²⁺盐、羟基羟酸类化合物、含氮杂环化合物和羟基苯化合物组成，所述可溶性Au盐为KAu(CN)₂，所述可溶性Sn²⁺盐为SnCl₂、SnSO₄、Sn(OH)₂中的任意一种，所述羟基羟酸类化合物为柠檬酸，所述含氮杂环化合物为2-乙基吡呤，所述羟基苯化合物为苯酚。

2.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述KAu(CN)₂中Au离子质量浓度为0.5-50g/L，所述可溶性Sn²⁺盐中Sn²⁺质量浓度0.1-50g/L。

3.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述半导体芯片B为硅芯片，所述硅芯片的表面镀有Au膜。

4.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述柠檬酸的质量浓度为50-350g/L。

5.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述2-乙基吡呤的质量浓度为0.1-25g/L。

6.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述苯酚的质量浓度为0.1—10g/L。

7.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述PH值缓冲剂为H₃BO₃溶液，所述光亮剂为醛类光亮剂。

8.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述一定温度为38—65摄氏度。

9.根据权利要求1所述的一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其特征在于：所述镀层结晶调整剂为胺类化合物。