[发明专利]一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法

权利要求书

1.一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：具体步骤如下：

步骤S01：在洁净室内取出事先准备的一根洁净棉签，放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用稀硝酸溶液浸泡5-10分钟后，用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；

步骤S02：取出事先准备的另一根洁净棉签在待测部件表面轻轻擦拭并计算出擦拭区域面积，之后放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用与步骤S01相同浓度相同体积的稀硝酸溶液浸泡与步骤S01相同的时间后，取出棉签，最后用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；

步骤S03：取两次测试结果的差值，通过表面污染物浓度的计算公式计算最终得到待测半导体制造设备部件表面痕量元素污染含量，单位E10atoms/cm²；

所述表面污染物浓度的计算公式为：

其中：C_p为测试部件的浓度，单位ppt，记为后值；

C_B为空白对照的浓度，单位ppt，记为前值；

V为浸泡待测棉签的稀硝酸体积，单位mL；

D为浸泡溶液的密度，单位g/cm³；

N_A为阿伏伽德罗常数：6.022×10²³；

A_w为原子序数；

S为擦拭面积，单位cm²。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：可检测的表面痕量污染物的组成元素包括第二周期到第六周期的金属元素以及B、Si、As、Se和Te 5种非金属元素。

3.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：所述棉签的棉签头材质为百分之百聚酯纤维。

4.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：所述洁净棉签用质量浓度为2％-5％的硝酸浸泡24h以上，取出用超纯水冲洗至少六次后置于干净的PFA瓶子中。

5.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：所述步骤S01和S02的稀硝酸溶液为质量百分比浓度为2％-5％的硝酸溶液。

6.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：所述PFA空瓶使用前用质量百分比浓度20％以上的硝酸溶液浸泡至少一周,然后用纯水冲洗至少六次以上，甩干。

7.根据权利要求1所述的一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：步骤S01中所述洁净室为100级或以上洁净室。