[发明专利]显示面板及其驱动方法、显示装置有效
申请号: | 202110497027.6 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113299666B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 罗成志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 陈斌 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及其驱动方法、显示装置。所述显示面板包括显示区;所述显示面板还包括设置于所述显示区内的第一晶体管与第二晶体管,所述第一晶体管包括第一有源层,所述第二晶体管包括第二有源层,且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率;其中,所述第一晶体管与所述第二晶体管并联以驱动所述显示面板显示。本发明可以提高显示面板的充电效率,并可以提高显示面板在不同显示频率下对充电需求的适用性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其驱动方法、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是LCD显示装置中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。显示装置所用TFT需要考虑均一性、漏电流、有效驱动长度、面积效率、及滞后作用等多方面的因素。依据有源层材料的不同,TFT分为非晶硅(a-Si)TFT、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)TFT、及金属氧化物(Metal Oxide)TFT。其中LTPS TFT具有迁移率高,尺寸较小,充电快开关速度快等优点,用于栅极驱动时具有很好的效果;而金属氧化物TFT具有均一性好及漏电流低的优点,可用于显示像素驱动。
目前,为了兼具LTPS TFT迁移率高和金属氧化物TFT漏电流低的优点,业界已有用LTPS TFT做栅极驱动和用金属氧化物TFT做显示区像素驱动的混合TFT,这样既能提高LCD栅极驱动电路中的驱动电流,并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流。这种混合TFT可用于动态帧频显示,原因是金属氧化物TFT的漏电流很低,可以保证低频时屏幕闪烁较低。然而,金属氧化物TFT也存在着载流子迁移率低的缺点,当其应用于高频显示时,往往会有充电不足的风险。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其驱动方法、显示装置,能够解决现有技术中多种晶体管混用时,容易造成充电不足,进而影响显示面板的显示驱动的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区;
所述显示面板还包括设置于所述显示区内的第一晶体管与第二晶体管,所述第一晶体管包括第一有源层,所述第二晶体管包括第二有源层,且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率;
其中,所述第一晶体管与所述第二晶体管并联以驱动所述显示面板显示。
在本发明的一种实施例中,所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极与第一漏极,所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极与第二漏极,其中,所述第一栅极与所述第二栅极电性连接并接收栅极控制信号,所述第一漏极与第二漏极电性连接并传输像素显示信号,所述第一源极和/或所述第二源极接收显示数据信号。
在本发明的一种实施例中,所述第一有源层与所述第二有源层相对设置,且所述第一栅极与所述第二栅极一体成型以形成公共栅极,且所述公共栅极设置于所述第一有源层与所述第二有源层之间。
在本发明的一种实施例中,所述第一漏极与所述第二漏极一体成型以形成公共漏极,且所述公共漏极的一端与所述第一有源层搭接,另一端与所述第二有源层搭接。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括设置于所述第一有源层上的第一绝缘层以及设置于所述公共栅极和所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第二有源层、所述第一源极、所述第二源极与所述公共漏极均设置于所述第二绝缘层上,所述显示面板还包括穿过所述第一绝缘层与所述第二绝缘层并位于所述第一有源层上的第一过孔以及第二过孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110497027.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带弧度钻石的切割方法及钻石
- 下一篇:一种步态分析系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的