[发明专利]一种纯场效应管低功耗过温保护电路

权利要求书

1.一种纯场效应管低功耗过温保护电路，其特征在于，包括偏置电路、温度电压转换电路、选择电路、比较器和数字输出电路，其中，所述偏置电路的输出与温度电压转换电路的输入连接，温度电压转换电路的输出与选择电路的输入和比较器的输入分别连接，比较器的输出与选择电路的输入连接，选择电路的输出与比较器的输入连接；

所述偏置电路包括两条支路，第一条支路包括场效应管M0、Mb1、Mb2、Mb3和Mb4，第二条支路包括场效应管Mb1c、Mb2c、Mb3c和Mb5；所述温度电压转换电路包括三条支路，第一条支路包括场效应管MPref和Mref，第二条支路包括MPstop和Mstop，第三条支路包括场效应管MPrst和Mrst；所述比较器包括场效应管M5、M6、M7、M8和M9；所述数字输出电路包括两条支路，第一条支路包括场效应管M1和M2，第二条支路包括场效应管M3和M4；所述选择电路包括场效应管Mt1、Mt2、Mt3和Mt4；

其中，M0、Mb1、Mb1C、M5、MPref、MPstop、MPrst的源端均连接到vdd；

Mb3、Mb2、Mb2C、M8、M9、M2、M4、Mref、Mstop、Mrst的源端和Mb4、Mb5的栅端均连接到gnd；

Mb2的栅端、漏端和Mref的栅端连接到Vsth_1；

Mb2C的栅端、漏端和Mstop、Mrst的栅端连接到Vsth_2；

M7的栅端、Mref的漏端、MPref的漏端均连接到V_t_ref；

M6的栅端、Mt1和Mt3的漏端、Mt2和Mt4的漏端均连接到V_com；

Mstop的漏端、Mt2的源端、MPref的漏端、Mt1的源端连接到V_t_stop；

Mrst的漏端、Mt4的源端、MPrst的漏端、Mt3的源端连接到V_t_rst；

M1的漏端、M2的漏端、M3的栅端、M4的栅端连接到Vc_n；

M3的漏端、M4的漏端连接到Vc_n；

Mb3、Mb3C的栅端和漏端相连；

M0、Mb1、Mb1C、M5的栅端和M0的漏端连接在一起；

MPref、MPstop、MPrst的栅端连接在一起；

Mb1的漏端和Mb4、Mb3的源端相连；

Mb1C的漏端和Mb5、Mb3C的源端相连；

Mb3的源端与Mb2的漏端相连；

Mb3C的源端与Mb2C的漏端相连；

M5的漏端与M7、M6的源端相连；

M7的漏端、M8的漏端、M8的栅端、M9的栅端连接在一起；

M6的漏端、M9的漏端、M1的栅端、M2的栅端均连在一起；

MPref的漏端和栅端、MPstop的栅端、MPrst的栅端连接在一起；

其中vdd为电源电压，gnd为电源地。