[发明专利]一种自清洁真空膜制备工艺

权利要求书

1.一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：

S1，首先将本真空膜中的各个成分按照质量百分比进行配比，配比后待取用；

S2，将配比后的聚丙烯酸酯、配比后去离子水的二分之一量和配比后发泡剂的三分之一量进行混合，并进行预乳化；

S3，再将配比后去离子水的十分之一量、配比后发泡剂的三分之一量和碳酸氢钠加入到反应釜中混合，得到混合物；

S4，将S2中得到乳化液加入到反应釜中，与S3中的混合物混合，再分别将剩余的去离子水、剩余的发泡剂、稳泡剂和增稠剂加入到反应釜中搅拌混合；

S5，再将交联剂加入到S4中的混合物中进行保温搅拌，搅拌完毕后静置得到真空膜；

S6，静置完毕后，将真空膜涂到基材上，再将自清洁层覆盖于真空膜的外侧，完成自清洁真空膜的涂覆；

所述真空膜按各组分的质量百分比计，其主要成分包括有：聚丙烯酸酯：40-45%；交联剂：5-10%；发泡剂：4-10%；稳泡剂：1-5%；增稠剂：2-10%；碳酸氢钠：1-5%；去离子水25-30%。

2.根据权利要求1所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述自清洁层包括有外覆层膜（1），所述外覆层膜（1）的内部均匀开设有若干个内槽（2），所述外覆层膜（1）外壁开设有若干个通槽（3），所述通口（3）和内槽（2）数量相等，且所述通口（3）和内槽（2）相互连通，所述内槽（2）内壁固定连接有气囊（4），所述外覆层膜（1）的外壁固定连接有若干个疏水突起（5）。

3.根据权利要求2所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述疏水突起（5）的外壁固定连接有若干个细毛突起（6）。

4.根据权利要求1所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述交联剂为聚碳化二亚胺交联剂。

5.根据权利要求2所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述发泡剂为茶皂素发泡剂。

6.根据权利要求2所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述稳泡剂为表面活性剂类稳泡剂。

7.根据权利要求2所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述增稠剂为邻苯二甲酸酯和阿拉伯树胶混合物。

8.根据权利要求1所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述反应釜中为恒温条件，且温度保持为70-90℃。

9.根据权利要求1所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：在步骤S5中，所述反应釜中保温搅拌的时间为20-50min，所述反应釜静置时间为10-40min，且静置温度不超过50℃。

10.根据权利要求2所述的一种自清洁真空膜制备工艺，其特征在于：所述外覆层膜（1）、气囊（4）和疏水突起（5）的外壁均涂有聚四氟乙烯涂层。