[发明专利]一种嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件

权利要求书

1.一种嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于，包括基底、第一贵金属部、第二贵金属部、拓扑绝缘体，所述第一贵金属部和所述第二贵金属部置于所述基底上，所述第一贵金属部和所述第二贵金属部之间设有间隙，所述第一贵金属部、所述间隙、所述第二贵金属部构成金属-介质-金属波导，所述第一贵金属部和所述第二贵金属部靠近所述间隙处分别设有第一空腔和第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔对称地设置在所述间隙的两侧，所述拓扑绝缘体填充满所述第一空腔和所述第二空腔。

2.如权利要求1所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体与所述间隙的距离小于10纳米。

3.如权利要求2所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述第一空腔和所述第二空腔为长方形，所述长方形的长边方向沿所述金属-介质-金属波导的方向。

4.如权利要求3所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔处，所述间隙宽。

5.如权利要求4所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔处，所述间隙为弧形。

6.如权利要求4所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：在所述第一空腔和所述第二空腔处，所述间隙为矩形。

7.如权利要求1-6任一项所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述第一贵金属部和所述第二贵金属部的材料为金或银。

8.如权利要求7所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述间隙的宽度小于60纳米。

9.如权利要求8所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述基底的材料为二氧化硅。

10.如权利要求9所述的嵌入型拓扑绝缘体波长转换器件，其特征在于：所述拓扑绝缘体为Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Se₃、Sb₂Te₃、InSb、Li₂IrO₃。