[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和衬底上的第一鳍部材料层，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区的第一鳍部材料层上形成核心层；在核心层侧壁形成第一掩膜侧墙；以第一掩膜侧墙和核心层为掩膜刻蚀第一鳍部材料层，形成初始鳍部；在初始鳍部露出的基底上形成第二鳍部材料层，第二鳍部材料层和第一鳍部材料层材料不同；形成第二鳍部材料层后去除核心层；去除核心层后，在第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙后，以第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀初始鳍部和第二鳍部材料层，初始鳍部图形化为第一鳍部，第二鳍部材料层图形化为第二鳍部。本发明选取不同的鳍部材料，满足不同器件的性能需求。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为基本半导体器件之一目前正被广泛应用。所以随着半导体器件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，出现短沟道效应，引起漏电流增大，最终影响半导器件的电学性能。

为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。但是，在特征尺寸进一步减小的状况下，鳍式场效应晶体管的性能难以进一步提高。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和位于所述衬底上的第一鳍部材料层，所述基底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、以及用于形成第二晶体管的第二器件区；在所述第一器件区的第一鳍部材料层上形成核心层；在所述核心层的侧壁形成第一掩膜侧墙；以所述第一掩膜侧墙和核心层为掩膜，刻蚀所述第一鳍部材料层，在所述第一器件区的剩余基底上形成凸起的初始鳍部；在所述初始鳍部露出的剩余基底上形成第二鳍部材料层，所述第二鳍部材料层覆盖所述初始鳍部的侧壁，所述第二鳍部材料层和第一鳍部材料层的材料不同；形成所述第二鳍部材料层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，在所述第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙；去除所述第一掩膜侧墙；去除所述第一掩膜侧墙后，以所述第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述初始鳍部和第二鳍部材料层，将所述初始鳍部图形化为凸立于所述第一器件区的衬底上的第一鳍部，将所述第二鳍部材料层图形化为凸立于所述第二器件区的衬底上的第二鳍部。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的形成方法中，所述第二鳍部材料层和第一鳍部材料层的材料不同，以所述第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述初始鳍部和第二鳍部材料层，将所述初始鳍部图形化为凸立于所述第一器件区的衬底上的第一鳍部，将所述第二鳍部材料层图形化为凸立于所述第二器件区的衬底上的第二鳍部；则本实施例中，所述第一鳍部和第二鳍部的材料不同，从而能够有针对性的选取不同的鳍部材料，使得所述第一鳍部和第二鳍部能够分别用于满足第一晶体管和第二晶体管的性能需求，以提升不同晶体管的性能，进而有利于提高所述半导体结构的工作性能。

附图说明

图1至图14是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

根据背景技术可知，随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展，目前的半导体结构难以在特征尺寸进一步减小的形势下，进一步提高工作性能，并且对于不同的晶体管，难以针对性地满足不同的需求。