[发明专利]光电装置在审

专利信息
申请号: 202110494907.8 申请日: 2019-02-21
公开(公告)号: CN113485033A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: D.Y.伍;H.阿贝戴斯尔;G.C.拜尔德;K.穆思;张毅;A.J.齐尔基 申请(专利权)人: 洛克利光子有限公司
主分类号: G02F1/01 分类号: G02F1/01;G02F1/015;G02F1/025
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;周学斌
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光电 装置
【权利要求书】:

1.一种光电装置,所述光电装置包括:

肋形波导,所述肋形波导包括:

脊部分,所述脊部分包括对温度敏感的光学有源区,

以及平板部分,所述平板部分邻近所述脊部分定位;

所述装置还包括加热器,所述加热器安置在位于所述平板部分下方的外延结晶包覆层中。

2.如权利要求1所述的光电装置,其中所述加热器包括所述外延结晶包覆层的掺杂区。

3.如权利要求2所述的光电装置,其中所述外延结晶包覆层的所述掺杂区在与所述肋形波导的引导方向基本平行的方向上延伸。

4.如权利要求2或3所述的光电装置,其中所述掺杂区具有至少1 μm且不超过30 μm的宽度。

5.如权利要求2-4中任一项所述的光电装置,其中所述掺杂区具有至少0.1 μm且不超过0.3 μm的高度。

6.如权利要求2-5中任一项所述的光电装置,其中所述掺杂区具有至少1×1020cm-3且不超过2.5×1020cm-3的掺杂浓度。

7.如权利要求2-6中任一项所述的光电装置,还包括所述外延结晶包覆层的未掺杂区,所述未掺杂区位于所述掺杂区与所述平板部分之间。

8.如权利要求1-7中任一项所述的光电装置,其中所述装置还包括:

隔热沟槽,其中所述隔热沟槽邻近所述外延结晶包覆层定位。

9.如权利要求8所述的光电装置,其中所述隔热沟槽填充有空气或二氧化硅。

10.如权利要求8或9所述的光电装置,其中所述隔热沟槽具有至少0.5 μm且不超过2.0μm的宽度。

11.如权利要求8-10中任一项所述的光电装置,其中所述装置包括多个隔热沟槽,所述多个隔热沟槽围绕所述平板部分的周边布置。

12.如权利要求1-11中任一项所述的光电装置,其中所述装置还包括:

隔热腔,所述隔热腔位于所述底部包覆层的与所述平板部分相对的一侧。

13.如权利要求12所述的光电装置,还包括:

掩埋氧化物层,所述掩埋氧化物层邻近所述底部包覆层的下表面安置,其中所述隔热腔位于所述掩埋氧化物层的相对侧并且邻近硅衬底。

14.如权利要求11或13所述的光电装置,其中所述隔热腔的宽度大于所述平板部分的宽度。

15.如权利要求1-14中任一项所述的光电装置,还包括电极,所述电极电连接至所述脊部分或所述平板部分,其中所述电极包括至少一个隔热腔。

16.如权利要求15所述的光电装置,其中所述电极包括呈阵列的多个隔热腔,其中所述阵列在与所述肋形波导的所述引导方向基本平行的方向上延伸。

17.如权利要求16所述的光电装置,其中所述阵列延伸至少50 μm且不超过100 μm的长度。

18.如权利要求15-17中任一项所述的光电装置,其中所述电极包括至少2个腔且不超过30个腔。

19.如权利要求15-18中任一项所述的光电装置,其中所述电极中的所述腔或每个腔具有至少2 μm且不超过30 μm的长度。

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