[发明专利]一种抗高频干扰差分开关单元有效
| 申请号： | 202110493730.X | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113225078B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 张秀娟 | 申请（专利权）人： | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/08 | 分类号： | H03M1/08;H03M1/74 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 干扰 开关 单元 | ||
1.一种开关单元，其特征在于，所述开关单元包括至少一个屏蔽管、开关管和伪开关管；
其中，所述至少一个屏蔽管与电流源输入口相连，所述开关管与所述至少一个屏蔽管中的两个开关管相连，所述至少一个屏蔽管与所述伪开关管相连，所述伪开关管与电流源输出口相连；
所述至少一个屏蔽管包括：第一屏蔽管和第二屏蔽管；
其中，所述第一屏蔽管与所述电流源输入口相连，所述第一屏蔽管还与所述开关管相连，所述第二屏蔽管与所述开关管相连，所述第二屏蔽管还与所述伪开关管相连；
所述第一屏蔽管包括第五MOS管和第六MOS管，所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极均与所述电流源输入口相连，所述第五MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极均接地；
所述第五MOS管的漏极与所述开关管的一个MOS管的源极相连，所述第六MOS管的漏极与所述开关管的另一个MOS管的源极相连；
所述第二屏蔽管包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管的源极与所述一个MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的源极与所述另一个MOS管的漏极相连，所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极均接地；
所述伪开关管包括第一伪开关管和第二伪开关管；
其中，所述第一伪开关管的源极与所述第三MOS管的漏极相连，所述第一伪开关管的漏极与电流源输出口相连；
所述第二伪开关管的源极与所述第四MOS管的漏极相连，所述第二伪开关管的漏极与电流源输出口相连；
所述第一伪开关管的源极与所述第一伪开关管的漏极相连，所述第二伪开关管的源极与所述第二伪开关管的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的开关单元，其特征在于，所述第一伪开关管的栅极、所述第二伪开关管的栅极上施加目标控制信号，所述目标控制信号与所述开关管的控制信号相反，且完全对称。
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