[发明专利]一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法

说明书

本发明涉及一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）取净化处理过的ITO靶材废料进行破碎；（2）破碎后的粉料，用20‑40目筛网过筛，未过筛网的较大碎颗粒回收，过筛网的粉料待用；（3）再将粉料用100‑200目筛网过筛，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细粉；（4）按粗颗粒、细粉体积比例5‑8:2‑4计，取粗颗粒、细粉与PVA水溶液混合；（5）造粒；（6）压制成型；（7）烧结后得到氧化铟锡蒸镀靶材。该方法利用ITO靶材废料制成的粗颗粒作为骨料，细粉作为基质粉料，无需高温钝化处理，能耗低，工艺流程简单，成本低，效率高，适合批量生产。

技术领域

本发明涉及一种蒸镀靶材的制备方法，特别涉及一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法。

背景技术

发光二极管（LED），采用电场发光的固态半导体器件，这种直接把电能转化成光能的电子器件，改变了传统白炽灯高能耗、亮度低、寿命短等缺点，现广泛应用于照明、显示屏、通信、汽车等领域。

氧化铟锡靶材，即ITO靶材，具有良好的导电性和透过率，被用于激光蒸镀和磁控溅射制备ITO导电薄膜。而LED发光二极管要求要有较高的热稳定性和化学稳定性，采用多孔的低密度氧化铟锡靶材蒸镀制作透明电极能达到此性能，且其高透过率使LED发光效率更好，更节能，所以目前大多数LED生产选择ITO薄膜作为透明电极。

制作LED用透明ITO薄膜电极，需要使用激光束照射ITO蒸镀靶材表面，使其挥发蒸镀到基材表面，这就要求靶材要有高的耐热性，多孔且具有足够强度。低密度蒸镀用ITO靶材现有公知的方法中，大多是对靶材前驱粉体混合造粒后煅烧钝化处理，使其晶粒长大，活性降低，再进行掺脂造粒，模压后烧结，烧结工艺繁杂，由于烧结前驱粉体活性不易控制，烧后靶材尺寸和密度不均匀。专利CN201210228241.2公布了一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法，但其制作过程工序复杂，混料后需要再干燥压制胚体，成型后需要脱水排脂，多次烧结能耗大，生产成本高，靶材密度不易控制。专利CN201910773128.4公布了一种低密度ITO靶材的制备方法，其回收粉需要高温煅烧预处理，再用氢氧化铟浆料混合后，未造粒直接压制成胚体烧结，采用此方法，易出现蒸镀靶材内部孔洞少的情况，电子束高温照射下蒸镀，靶材散热性不好，易开裂。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法，该方法利用ITO靶材废料制成的粗颗粒作为骨料，细粉作为基质粉料，无需高温钝化处理，能耗低，工艺流程简单，成本低，效率高，适合批量生产。

解决上述技术问题的技术方案是：一种氧化铟锡蒸镀靶材的制备方法，包括以下步骤：

（1）取净化处理过的ITO靶材废料进行破碎；

（2）破碎后的粉料，用20-40目筛网过筛，未过筛网的较大碎颗粒回收，过筛网的粉料待用；

（3）再将粉料用100-200目筛网过筛，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细粉；

（4）按粗颗粒、细粉体积比5-8:2-4计，取粗颗粒、细粉与有机粘结剂混合，有机粘结剂的加入量为粗颗粒和细粉总重量的5-8%，所述有机粘结剂是含量为2-5%的PVA水溶液；

（5）均匀混合后的粉体用20-60目筛网过筛造粒；

（6）将造粒粉体装入模具中压制成型；

（7）将成型后的胚体放入常压氧氛烧结炉中烧结，烧结温度为1450-1650℃，保温2-5h，得到氧化铟锡蒸镀靶材。

进一步的，步骤（1）中，ITO靶材废料净化处理的具体操作是：将ITO靶材废料在稀盐酸中浸泡1.5-2.5小时后用纯水洗净，再烘干。

进一步的，步骤（1）中，破碎的具体操作是：将ITO靶材废料放入破碎机中破碎1-5分钟。

由于采用上述技术方案，本发明具有以下有益效果：