[发明专利]一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法在审
| 申请号： | 202110490736.1 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113394659A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 孙杰;孙天博;李中宇 | 申请（专利权）人： | 光子集成科技香港有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 中国香港钢锣湾希慎*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 阵列 半导体 放大器 实现 光源 耦合 方法 | ||
1.一种采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，包括：
激光器，所述激光器用于输出待处理激光；
分束器，所述分束器用于将所述待处理激光分为N束子激光；
光放大阵列，用于对N束所述子激光进行分别放大，以获得N束待耦合激光；N为大于1的正整数；
耦合阵列，用于将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数；
光芯片，用于接收M束所述输出激光。
2.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述分束器包括至少一个一分二波导。
3.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述光放大阵列包括N个半导体光放大器，N个所述半导体光放大器与N束所述子激光一一对应；
所述半导体光放大器，用于将与所述半导体光放大器对应的子激光进行光功率放大。
4.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述耦合阵列包括多个耦合结构，所述耦合结构用于将X束所述待耦合激光耦合为一束所述输出激光，X为大于或等于1，且小于或等于N的正整数。
5.根据权利要求4所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述耦合结构包括垂直耦合结构或直接耦合结构。
6.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述激光器、分束器和所述光放大阵列封装在一片晶圆上，所述耦合阵列和所述光芯片封装在另一片晶圆上。
7.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述激光器和所述分束器封装在一片晶圆上，所述光放大阵列封装在另一片晶圆上，所述耦合阵列和所述光芯片封装在又一片晶圆上。
8.根据权利要求1所述的采用阵列半导体光放大器实现的光源，其特征在于，所述激光器、所述分束器、所述光放大阵列、所述耦合阵列和所述光芯片封装在同一片晶圆上。
9.一种光耦合方法，其特征在于，包括：
提供待处理激光；
对所述待处理激光进行分束，以获得N束子激光；
分别对N束所述子激光进行放大，以获得N束待耦合激光；
将N束所述待耦合激光耦合为M束输出激光，M为小于或等于N的正整数。
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